[发明专利]光刻群集和模块化以提高生产率

权利要求书

1.一种用于半导体工件处理的光刻工具装置，包括：

第一群集工具，包括第一类型的多个光刻工具；

第二群集工具，包括第二类型的多个光刻工具，其中，所述第二类型不同于所述第一类型；以及

第一传送组件，被配置成将半导体工件从所述第一类型的多个第一光刻工具中的任一个移动到所述第二类型的多个第二光刻工具中的任一个中。

2.根据权利要求1所述的光刻工具装置，进一步包括：

用于所述第一群集工具的第一共享壳体组件，被配置成使所述第一群集工具与围绕所述第一群集工具的周围环境隔离；以及

用于所述第二群集工具的第二共享壳体组件，被配置成使所述第二群集工具与围绕所述第二群集工具的周围环境隔离。

3.根据权利要求1所述的光刻工具装置，进一步包括：

用于所述第一群集工具的第一控制器，被配置成独立地控制所述第一群集工具内的光刻工具；以及

用于所述第二群集工具的第二控制器，被配置成独立地控制所述第二群集工具内的光刻工具。

4.根据权利要求1所述的光刻工具装置，进一步包括：

用于所述第一群集工具的第一公共输送装置，被配置成将化学材料输送到所述第一群集工具内的光刻工具；以及

用于所述第二群集工具的第二公共输送装置，被配置成将化学材料输送到所述第二群集工具内的光刻工具，

其中，所述第一公共输送装置和所述第二公共输送装置被配置成：

分别在所述第一群集工具和所述第二群集工具内的光刻工具之间共享和再循环化学材料。

5.根据权利要求1所述的光刻工具装置，进一步包括：

第三群集工具，包括第三类型的多个光刻工具；以及

第二传送组件，被配置成将半导体工件从所述第二类型的多个第二光刻工具中的任一个移动到所述第三类型的多个第三光刻工具中的任一个中。

6.根据权利要求1所述的光刻工具装置，进一步包括：

缺陷扫描工具，位于所述第一群集工具和所述第二群集工具之间，被配置成分析半导体工件并识别在所述第二群集工具的上游生成的缺陷。

7.根据权利要求1所述的光刻工具装置，其中：

所述第一群集工具和所述第二群集工具相对于所述第一传送组件呈辐射状定位。

8.一种光刻工具装置，包括：

多个群集工具，每一个群集工具都包括相同类型的多个光刻工具；

传送组件，被配置成在相应的群集工具之间移动半导体工件；

控制器，被配置成独立地控制群集工具内的相应光刻工具；

公共输送装置，被配置成：

将化学材料输送到群集工具内的相应光刻工具；

在所述群集工具内的光刻工具之间共享和再循环化学材料；

在所述群集工具之间共享和再循环化学材料；以及

共享壳体组件，被配置成容纳所述多个群集工具、所述传送组件、所述控制器以及所述公共输送装置，以使它们与围绕它们的周围环境隔离。

9.根据权利要求8所述的光刻工具装置，其中，每个光刻工具都进一步包括：

照明工具，包括对准台和曝光台，

其中，所述照明工具进一步包括：

超紫外线(EUV)或电子束直写(EBDW)照明工具。

10.一种用于半导体工件处理以增强产量的方法，包括：

在包括第一类型的多个光刻工具的第一群集工具内处理半导体工件；

在包括第二类型的多个光刻工具的第二群集工具内处理所述半导体工件；

经由传送组件，将所述半导体工件从所述第一类型的多个第一光刻工具中的任一个选择性地传送至所述第二类型的多个光刻工具中的任一个。