[发明专利]改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法无效
| 申请号： | 201210300840.0 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103633030A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 sonos 闪存 器件 可靠性 均一 方法 | ||
1.一种改善SONOS闪存器件可靠性的面内均一性的方法，其特征在于，包括步骤：
1）在硅衬底上，制备隧穿氧化层；
2）在隧穿氧化层上，制备氮化硅层；
3）利用RadOx氧化工艺，对氮化硅层进行ISSG氧化，形成氮氧化硅阻挡层；
4）在氮氧化硅阻挡层上，制备氮化硅陷阱层；
5）利用RadOx氧化工艺，对氮化硅陷阱层进行部分氧化，形成顶层高含氧氮氧化硅阻挡层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，制备隧穿氧化层的工艺为RadOx氧化工艺，其中，工艺参数为H2:1slm～30slm，O2:1slm～100slm，反应温度为900～1200℃，压力为0～25torr；
所述隧穿氧化层的厚度为10埃～40埃。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，制备氮化硅层的方法为化学气相淀积方法，氮化硅层的厚度为20埃～60埃
其中，该化学气相淀积方法的工艺参数如下：
流量为NH3:30sccm～100sccm，SiH2Cl2:50sccm～120sccm，反应温度为700～760℃，压力为150～300mtorr。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）、5）中，RadOx氧化工艺中的工艺参数为H2:1slm～30slm，O2:1slm～100slm，反应温度为900～1200℃，压力为0～25torr。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，氮氧化硅阻挡层厚度为30埃～60埃；其中，该氮氧化硅阻挡层中的二次离子质谱仪的氧含量为1%～30%。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4）中，制备氮化硅陷阱层的方法为化学气相淀积方法，氮化硅陷阱层的厚度为30埃～120埃；
其中，该化学气相淀积方法的工艺参数如下：
流量为NH3:30sccm～100sccm，SiH2Cl2:50sccm～120sccm，反应温度为700～760℃，压力为150～300mtorr。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5）中，顶层高含氧氮氧化硅阻挡层的厚度为40埃～70埃；
其中，该顶层高含氧氮氧化硅阻挡层的二次离子质谱仪的氧含量为70%～95%。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
