[发明专利]一种Hf(Ta)C超高温复相涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210300660.2 申请日: 2012-08-22
公开(公告)号: CN102815971A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 熊翔;王雅雷;李国栋;孙威;陈招科;赵学嘉 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C04B41/85 分类号: C04B41/85;C04B35/66
代理公司: 长沙市融智专利事务所 43114 代理人: 颜勇
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 hf ta 超高温 涂层 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种Hf(Ta)C超高温复相涂层及其制备方法,属于化学气相沉积技术领域,适用于炭/炭复合材料、炭/陶复合材料、石墨、碳化物陶瓷等材料的表面涂层与高温防护。

技术背景

炭/炭复合材料具有优异的高温力学性能、低热膨胀系数、高热导率以及良好的抗热震性能,是用于固体火箭发动机喉衬较为理想的烧蚀结构材料。炭/炭复合材料喉衬在500℃以上高温有氧环境下的迅速氧化将导致其力学性能的迅速衰减。喉衬工作时若被严重烧蚀,则很难保持稳定的气动外形,将直接影响发动机的推力和效率。炭/炭复合材料较高的烧蚀率已经无法满足新一代固体火箭发动机对材料的性能要求。因此,提高炭/炭复合材料的抗烧蚀性能极其重要。

在炭/炭复合材料表面涂覆抗烧蚀涂层是较为理想的措施。针对炭/炭复合材料在超高温条件下的烧蚀保护,目前国际上倾向于在炭/炭复合材料工作表面涂覆难熔金属碳化物(HfC、TaC、ZrC)用作固体火箭发动机喉衬,且以化学气相沉积法制备的涂层性能最好。化学气相沉积技术的优势在于可对涂层材料组成和结构进行设计和控制,并可在较低温度下完成对高熔点材料的制备,设备简单,易于操作,且通过对沉积设备的改造利用共沉积可以实现不同组分或多层涂层的一次性沉积。目前,俄罗斯、美国、中国均实现了采用CVD技术在C/C复合材料表面制备HfC、TaC和ZrC单一涂层。Futamoto、Ache、Emig等人均采用HfCl4-CH4-H2系统,利用CVD技术制备出了HfC涂层。单一涂层用于炭/炭复合材料抗烧蚀保护具有其局限性,很难满足固体火箭发动机喉衬所处复杂的烧蚀环境。因此,开发多层涂层体系或复相涂层体系,可充分利用涂层内多相组元各自的特点达到对炭/炭复合材料最佳的抗烧蚀防护。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术之不足而提供一种组分配比合理、工艺简单、操作方便、与基体结合良好,无层间和贯穿裂纹,具有优异的抗热震和抗烧蚀性能的Hf(Ta)C超高温复相涂层及其制备方法。有效提高炭/炭复合材料、石墨、碳化物陶瓷等材料的超高温防护性能。

本发明一种Hf(Ta)C超高温复相涂层,所述Hf(Ta)C超高温复相涂层由HfC与HfTaC2组成,其中HfTaC2的摩尔分数为6-50%,均匀或梯度分布在涂层中。

本发明一种Hf(Ta)C超高温复相涂层的制备方法,是将经过表面处理的基体材料置于低压化学气相沉积炉中,以四氯化铪和五氯化钽混合粉末为铪源和钽源;甲烷为碳源;氩气为稀释气体;氢气为还原气体,沉积温度为1300-1700℃,沉积时间为1-20小时,沉积压力为0.1-100kPa;将混合粉末输送至沉积炉反应器内部,在基体材料表面沉积制备Hf(Ta)C超高温复相涂层,沉积完成后,随炉氮气保护冷却至室温,出炉。

本发明一种Hf(Ta)C超高温复相涂层的制备方法,所述基体材料置于低压化学气相沉积炉中,先抽真空至炉内压力低于100Pa后,通入氮气作为保护气体,然后,以5-10℃/min的升温速率升温至沉积温度;向炉内通入氢气,待炉内温度稳定后,通入甲烷,控制炉内压力为0.1-100kPa,进行沉积。

本发明一种Hf(Ta)C超高温复相涂层的制备方法,所述混合粉末是将HfCl4和TaCl5粉末按摩尔比HfCl4/TaCl5=(1-10)/1在真空手套箱中,氩气保护下,进行机械混合均匀得到的HfCl4+TaCl5混合粉末。

本发明一种Hf(Ta)C超高温复相涂层的制备方法,所述HfCl4粉末的粒度为50-100目;所述TaCl5粉末的粒度为50-100目。

本发明一种Hf(Ta)C超高温复相涂层的制备方法,所述的CH4、H2气体按摩尔比CH4/H2=1/(1-20)配置;且所述CH4与HfCl4(TaCl5)的摩尔比满足CH4/(HfCl4+TaCl5)=(0.2-5)/1。

本发明一种Hf(Ta)C超高温复相涂层的制备方法,所述的混合粉末由机械送粉装置均匀连续输送至沉积炉反应器内部。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210300660.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top