[发明专利]氮化镓发光二极管的快速热退火

权利要求书

1.一种形成氮化镓发光二极管的方法，包括：

形成氮化镓多层结构在基板上，该氮化镓多层结构具有n型氮化镓层与p型氮化镓层，该n型氮化镓层与该p型氮化镓层之间夹入激活层；

对该p型氮化镓层执行快速热退火，其中该快速热退火具有约10秒或更短的持续时间；

在该氮化镓多层结构上形成透明导电层；及

添加p型接触至该透明导电层，且添加n型接触至该n型氮化镓层。

2.如权利要求1的形成氮化镓发光二极管的方法，还包括对该透明导电层执行该快速热退火。

3.如权利要求1或2的形成氮化镓发光二极管的方法，还包括对该p型接触执行该快速热退火。

4.如权利要求3的形成氮化镓发光二极管的方法，其中该p型接触具有p型接触电阻，而所述对该p型接触执行快速热退火导致p型接触电阻在从约4x10^-4ohm-cm²至约1x10^-6ohm-cm²的范围中。

5.如权利要求3的形成氮化镓发光二极管的方法，还包括对该n型接触执行快速热退火。

6.如权利要求5的形成氮化镓发光二极管的方法，还包括：

形成凸缘在该氮化镓多层结构及该透明导电层中，以暴露该n型氮化镓层；及

形成该n型接触在该暴露的n型氮化镓层上。

7.如权利要求1的形成氮化镓发光二极管的方法，其中该快速热退火具有最大退火温度T_AM，它是在约700°C至约1500°C的范围中。

8.如权利要求7的形成氮化镓发光二极管的方法，其中该快速热退火利用激光器或闪光灯。

9.如权利要求8的形成氮化镓发光二极管的方法，其中该快速热退火是利用闪光灯来执行，该闪光灯对整个该p型氮化镓层照射单一道闪光。

10.如权利要求1的形成氮化镓发光二极管的方法，其中该p型氮化镓层被执行该快速热退火后，具有从约5x10¹⁷cm^-3至约5x10¹⁹cm^-3范围中的被激活的掺杂物浓度。

11.如权利要求1的形成氮化镓发光二极管的方法，还包括形成该激活层以包括多重量子阱结构。

12.一种形成氮化镓发光二极管的方法，包括：

形成氮化镓多层结构，该氮化镓多层结构具有n型氮化镓层与p型氮化镓层，该n型氮化镓层与该p型氮化镓层之间夹入激活层；

形成p型接触层，邻接于该p型氮化镓层；

形成n型接触在该n型氮化镓层上；及

对该n型接触执行快速热退火，其中该快速热退火具有约10秒或更短的持续时间。

13.如权利要求12的形成氮化镓发光二极管的方法，其中该快速激光退火的执行是使用激光器或闪光灯。

14.如权利要求13的形成氮化镓发光二极管的方法，其中该n型接触具有n型接触电阻，并且所述对该n型接触执行快速热退火导致该n型接触电阻在从约1x10^-4ohm-cm²至约1x10^-6ohm-cm²的范围中。

15.如权利要求12的形成氮化镓发光二极管的方法，还包括进行该快速热退火，该快速热退火具有最大退火温度T_AM，它是在从约700°C至约1500°C的范围中。