[发明专利]电流扩散层、发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包括：

外延叠层，依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层；以及

电流扩散层，与该外延叠层连结，该电流扩散层具有微纳米粗化结构层及透明导电层，该微纳米粗化结构层具有多个镂空部，该透明导电层覆盖于该微纳米粗化结构层的表面及这些镂空部。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第一半导体层为P型外延层或N型外延层，且该第二半导体层为N型外延层或P型外延层。

3.如权利要求2所述的发光二极管装置，其中部分的该第一半导体层暴露于该第二半导体层及该发光层，且该发光二极管装置还包括：

反射层，与该电流扩散层相对于该第二半导体层的表面连接；以及

第一电极对，分别设置于该反射层及该第一半导体层。

4.如权利要求3所述的发光二极管装置，其还包括：

导热基板；

第二电极对，分别设置于该导热基板上，并与该第一电极对相对而设；以及

导热粘贴层，设置于该第一电极对与该第二电极对之间。

5.如权利要求3所述的发光二极管装置，还包括外延基板，其设置于该第一半导体层相对于该发光层的表面上且用以承载该外延叠层，该外延基板的厚度在该反射层形成后减薄，使其形成透光基板。

6.如权利要求2所述的发光二极管装置，其还包括：

导热基板；

导热粘贴层，设置于该导热基板上；

导热绝缘层，设置于该粘贴层上；以及

反射层，设置于该导热绝缘层上，并与该电流扩散层相对于该第二半导体层的表面连接。

7.如权利要求6所述的发光二极管装置，其中该导热绝缘层的材料为热传导系数大于或等于150W/mK(瓦特/米·凯氏温度)的绝缘材料，如氮化铝或碳化硅。

8.如权利要求6所述的发光二极管装置，其中该外延叠层的折射率＞该导热绝缘层的折射率＞空气的折射率。

9.如权利要求6所述的发光二极管装置，其还包括第一电极及第二电极，其分别设置于第一半导体层及该电流扩散层上，且其中部分的该电流扩散层暴露于该外延叠层。

10.如权利要求2所述的发光二极管装置，还包括外延基板、第一电极及第二电极，且该外延叠层的该第一半导体层、该发光层及该第二半导体层依序形成于该外延基板上，该第一电极与该第二电极分别与部分的该第一半导体层以及部分的该透明导电层电性连接。

11.如权利要求2所述的发光二极管装置，还包括：

导热基板；

导热粘贴层，设置于该导热基板；

反射层，设置于该导热粘贴层，并与该电流扩散层相对于该第一半导体的表面连接；

第一电极，设置于该第一半导体层；以及

第二电极，设置于该导热基板相对于该导热粘贴层的表面。

12.如权利要求4、6或11所述的发光二极管装置，其中该导热基板的材料选自硅、砷化镓、磷化镓、碳化硅、氮化硼、铝、氮化铝、铜及其组合所构成的组，且该导热粘贴层的材料选自金、锡膏、锡银膏、银膏及其组合所构成的组。

13.如权利要求3、6或11所述的发光二极管装置，其中该反射层的材料选自铂、金、银、钯、镍、铬、钛及其组合所构成的组，且该反射层为由具有高低折射率的介电质薄膜所组成的光学反射元件、金属反射层、金属介电反射层或由微纳米球所组成的光学反射元件。

14.如权利要求2所述的发光二极管装置，其中该电流扩散层的该透明导电层的材料包括铟锡氧化物、掺铝氧化锌或铟锌氧化物。

15.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该微纳米粗化结构层的材料选自三氧化二铝、氮化硅、二氧化锡、二氧化硅、树脂、聚碳酸酯及其组合所构成的组，且该微纳米粗化结构层以堆叠工艺、烧结工艺、阳极氧化铝工艺、纳米压印工艺、热压工艺、蚀刻工艺或电子束曝光工艺而形成。