[发明专利]抗蚀剂剥离液组合物及利用该组合物的抗蚀剂剥离方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于平板显示基板的抗蚀剂剥离液组合物及利用该组合物的剥离方法。

背景技术

光刻胶(Photoresist)是可利用光的光化学反应将预先画在光掩模(Photomask)上的微细图案在期望的基板上形象化的化学薄膜，其与光掩模一起作为适用于曝光技术的聚合物材料，被认为是直接影响元件的集成度，决定最终分辨率限制的主要因素。为了将根据所谓摩尔定律(Moore’s law：半导体的集成度每两年增加一倍的理论)的每年增加的电路的集成度放入到有限大小的半导体中，需要更小地图案化(patterning)设计的电路，因此半导体集成度的增加必然不断地要求开发新的光刻胶。

为了制造高分辨率的平板显示器，通常使用利用这种光刻胶在基板上形成微细配线的光刻工艺，其是利用光刻胶的热、机械、化学特性，在基板上涂布光刻胶后，使其曝光(exposure)于一定波长的光，执行干式或湿式蚀刻的方法。

对于利用光刻胶的微细图案化技术，与对新光刻胶的开发一起受到重视的领域就是光刻胶剥离液(Stripper或Photoresist Remover)。光刻胶在工艺结束后需要通过称为剥离液(Stripper或Photoresist Remover)的溶剂进行去除，这是因为蚀刻过程后不需要的光刻胶层和通过蚀刻及清洗过程残留在基板上的金属剩余物或变质的光刻胶残留物会导致半导体制造的成品率降低等问题。

为此，需要开发一种剥离液，其具备对干式蚀刻工艺以后产生的蚀刻残渣的去除力及对金属配线的防腐蚀力，尤其需要如可提高基板处理张数的经济性，以确保不仅对铝，而且对铜的防腐蚀力及价格竞争力。

通常，为了去除光刻胶使用单乙醇胺、单异丙醇胺等水溶性有机胺，伽马丁内酯及DMSO等有机溶剂等。另外，为了抑制由胺产生的金属腐蚀，通常使用邻苯二酚、间苯二酚、苯并三唑等多种形态的缓蚀剂，并提出有含该缓蚀剂的光刻胶剥离液组合物。

但是，现有的光刻胶剥离液组合物已知有对铜和铝配线的防蚀性能及腐蚀性能、处理张数、工艺或长期存储中的稳定性等问题。例如，韩国第10-0429920授权专利提供了一种剥离液组合物，其包含含氮有机羟基化合物、水溶性有机溶剂、水及苯并三唑类化合物。但是，所述剥离液组合物虽然对铜及铜合金的防蚀性能优异，但是具有对铝及铝合金的防蚀性能降低的问题，至于韩国第10-2006-0028523号公开专利中的含醇胺、乙二醇醚、N-甲基吡咯烷酮及螯合剂的剥离液组合物，在因所述螯合剂导致抗蚀剂的剥离不发生的情况下，也会由于化合物自身的特性而使得剥离液变色，从而引起无法肉眼确认剥离工艺中根据抗蚀剂的溶解程度而变化的剥离液的变色的问题。

现有技术文献

专利文献

(专利文献1)韩国授权专利第10-0429920号

(专利文献2)韩国公开专利第10-2006-0028523号

发明内容

要解决的技术问题

本发明是为了解决如上所述的现有技术的问题而提出的，目的在于提供一种抗蚀剂剥离液组合物及利用该组合物的抗蚀剂剥离方法，所述抗蚀剂剥离液组合物的抗蚀剂图案、干式及湿式蚀刻残渣去除能力优异，不引起剥离液自身的色变，对含有铝和/或铜的金属配线的防腐蚀力出色，可提高基板的处理张数，从而经济性优异。

技术方案

本发明提供一种含有由下述化学式1表示的多面体倍半硅氧烷及由下述化学式2表示的碱性化合物的抗蚀剂剥离液组合物。

[化学式1]

(R¹SiO_1.5)_n

[化学式2]

所述化学式1中，n是8～100，R¹各自独立地是氢、烷基、亚烷基、烯丙基、亚烯丙基(allylene)；或具有官能团的烷基、亚烷基、烯丙基及亚烯丙基的衍生物，

所述化学式2中，R²，R³及R⁴各自独立地是被氢或氨基取代或未取代的具有1～10的碳原子数的烷基；由被碳原子数为1～4的烷基取代的氨基取代的具有1～10的碳原子数的烷基；碳原子数为2～10的烯基；由被碳原子数为1～10的羟烷基、羧基或羟基取代或未取代的具有1～10的碳原子数的烷氧基取代的具有1～10的碳原子数的烷基；被碳原子数为1～4的烷基取代或未取代的氨基、苯基或苄基，所述R³和R⁴可一起形成环。