[发明专利]一种用于超级结制备的深沟槽填充工艺方法无效
| 申请号： | 201210297914.X | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103050384A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘远良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 超级 制备 深沟 填充 工艺 方法 | ||
1.一种用于超级结制备的深沟槽填充工艺方法，其特征在于，包括下列工艺步骤：
步骤1，在超级结工艺制备过程中，利用光刻及干法刻蚀工艺在外延硅片上形成一定深度的沟槽，沟槽深度由器件的电特性来决定；
步骤2，利用外延填充工艺在沟槽内填充单晶硅，由于晶向差异在终端沟槽区域内会有空洞或者缝隙出现；
步骤3，通过一层光罩定义出除终端沟槽之外的区域，并将该区域用光刻胶所覆盖；
步骤4，利用干法刻蚀将终端沟槽进行刻蚀，一直刻蚀至沟槽内的空洞或者缝隙完全被打开为止；
步骤5，将步骤4中的光刻胶去除；
步骤6，再次利用外延填充工艺，将终端沟槽完全填充。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1中，所述沟槽的形成方法是先在硅片表面沉积一层氧化物，然后利用光刻定义深沟槽形成区域；再利用干法刻蚀将沟槽区的氧化物去除，然后将光刻胶去除，此时利用氧化物作为刻蚀阻挡层进行深沟槽刻蚀。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤1中，所述先在硅片表面沉积一层氧化物，该氧化物的厚度为1-2微米。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤1中，所述沟槽深度为10-50微米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2中，所述利用外延填充工艺在沟槽内填充单晶硅，填充至终端沟槽区域内空洞或者缝隙将要封口时为止；所述外延填充工艺是常规外延工艺或者是选择性外延填充工艺。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3中，利用光刻胶定义出终端沟槽区域，以保护元胞区域已经填好的沟槽不会受到破坏。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4中，利用干法刻蚀，将终端区沟槽封口变大，降低空洞或者缝隙的深宽比。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤6中，所述终端沟槽内完全填充单晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
