[发明专利]等离子体控制装置、流量控制装置及流量控制用方法

权利要求书

1.一种等离子体控制装置，其特征在于包括：

第一阀，设置在第一流路上，所述第一流路与生成等离子体的真空室连接，导入所述真空室内的导入气体流过所述第一流路；

第一阀控制部，控制所述第一阀的开度，使得经由所述第一阀导入所述真空室内的所述导入气体的流量成为第一流量；

等离子体监测器，测量在所述真空室内生成的等离子体的等离子体强度；

第二阀，设置在第二流路上，所述第二流路与比所述第一阀位于下游的所述第一流路连接或者与所述真空室连接，所述导入气体流过所述第二流路；以及

第二阀控制部，根据由所述等离子体监测器测量到的测量等离子体强度与预先设定的设定等离子体强度的偏差，对所述第二阀的开度进行控制。

2.根据权利要求1所述的等离子体控制装置，其特征在于：设定所述第一流量，使得在仅以所述第一流量将所述导入气体导入所述真空室时，由所述等离子体监测器测量到的测量等离子体强度成为比所述设定等离子体强度小的值。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体控制装置，其特征在于：所述第一阀控制部对所述第一阀的开度进行控制，使得第二流量成为比所述第一流量小的值，所述第二流量是经由所述第二流路导入所述真空室的所述导入气体的流量，

所述第二阀和所述第二阀控制部具有比所述第一阀和所述第一阀控制部高的响应性。

4.根据权利要求1或2所述的等离子体控制装置，其特征在于：所述第二阀是压电阀。

5.根据权利要求3所述的等离子体控制装置，其特征在于：所述第二阀是压电阀。

6.根据权利要求1或2所述的等离子体控制装置，其特征在于：所述等离子体监测器根据从所述真空室内的等离子体放射的光的强度，测量所述等离子体强度。

7.根据权利要求3所述的等离子体控制装置，其特征在于：所述等离子体监测器根据从所述真空室内的等离子体放射的光的强度，测量所述等离子体强度。

8.根据权利要求4所述的等离子体控制装置，其特征在于：所述等离子体监测器根据从所述真空室内的等离子体放射的光的强度，测量所述等离子体强度。

9.根据权利要求5所述的等离子体控制装置，其特征在于：所述等离子体监测器根据从所述真空室内的等离子体放射的光的强度，测量所述等离子体强度。

10.一种流量控制装置，其特征在于：该流量控制装置用于等离子体控制装置，所述等离子体控制装置包括：第一阀，设置在第一流路上，所述第一流路与生成等离子体的真空室连接，导入所述真空室内的导入气体流过所述第一流路；第一阀控制部，控制所述第一阀的开度，使得经由所述第一阀导入所述真空室内的所述导入气体的流量成为第一流量；以及等离子体监测器，测量在所述真空室内生成的等离子体的等离子体强度，

所述流量控制装置包括：

第二阀，设置在第二流路上，所述第二流路与比所述第一阀位于下游的所述第一流路连接或者与所述真空室连接，所述导入气体流过所述第二流路；以及

第二阀控制部，根据由所述等离子体监测器测量到的测量等离子体强度与预先设定的设定离子体强度的偏差，对所述第二阀的开度进行控制。

11.一种流量控制用方法，其特征在于：该流量控制用方法用于等离子体控制装置，所述等离子体控制装置包括：第一阀，设置在第一流路上，所述第一流路与生成等离子体的真空室连接，导入所述真空室内的导入气体流过所述第一流路；等离子体监测器，测量在所述真空室内生成的等离子体的等离子体强度；以及第二阀，设置在第二流路上，所述第二流路与位于所述第一阀的下游的所述第一流路连接或者与所述真空室连接，所述导入气体流过所述第二流路，

所述流量控制用方法使第一阀控制部控制所述第一阀的开度，使得经由所述第一阀导入所述真空室内的所述导入气体的流量成为第一流量，并且所述流量控制用方法使第二阀控制部根据由所述等离子体监测器测量到的测量等离子体强度与预先设定的设定等离子体强度的偏差，对所述第二阀的开度进行控制。