[发明专利]一种阵列基板、显示装置及显示装置的驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及显示装置的驱动方法。

背景技术

TFT-LCD（薄膜场效应晶体管-液晶显示器）、OLED（有机发光二极管）显示装置、电子纸等显示装置的阵列基板采用行列矩阵驱动模式，具体的由N行栅线和M列数据线交叉形成行列矩阵，实现对行列矩阵中的每个像素电极的控制。

在分辨率不变的前提下，为了降低产品的成本，可以考虑减少数据线的数量。为达到这一目的，现有技术提出了一种基于Dual Gate（双栅线）的像素扫描结构，其具体实现方式如下：

假设显示面板的分辨率为N*M，即有N*M个像素电极。阵列基板包括N行栅线（G₁~G_N）、M/2列数据线（D₁~D_M/2）、和N*M个单栅极的TFT（薄膜场效应晶体管）。其中，一行栅线和一行数据线交叉处设置有2个TFT，一个TFT为栅极正压开启的TFT（用TFT⁺表示），另一个TFT为栅极负压开启的TFT（用TFT^-表示）。

其工作原理为：在一条栅线的扫描周期内，该栅线的前半帧信号为正向开启电压，作为与其连接的栅极正压开启的TFT⁺的使能信号，使得与TFT⁺连接的数据线将数据驱动信号输出给TFT⁺对应的像素电极；该栅线的后半帧信号为负向开启电压，作为与其连接的栅极负压开启的TFT^-的使能信号，使得与TFT^-连接的数据线将数据驱动信号通过输出给TFT^-对应的像素电极。

上述现有的阵列基板中，由于同时存在栅极正压开启的TFT和栅极负压开启的TFT，那么，TFT的截止电压只能设置在0V。单栅极的TFT在0V时会产生漏电流，无法实现正常截止，因此无法应用到实际产品中。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板、显示装置及显示装置的驱动方法，用以解决现有技术中薄膜晶体管驱动过程中产生的漏电流的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种阵列基板，包括，栅线、数据线和像素电极，还包括：

在每条栅线和每条数据线的交叉处有两个多栅极结构的像素开关，其中一个为栅极正压开启的像素开关，另一个为栅极负压开启的像素开关；

一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关用于驱动位于所述数据线两侧且与所述数据线连接的两个像素电极；

一条栅线和一条数据线交叉处的两个多栅极结构的像素开关的各个栅极均与所述栅线连接。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

一种显示装置的驱动方法，在一条栅线的扫描周期内，所述扫描周期被划分为第一时段和第二时段，该方法包括：

在所述扫描周期的第一时段，向上述的阵列基板中的一条栅线输出正向开启电压；

在所述扫描周期的第二时段，向上述阵列基板中的所述栅线输出负向开启电压。

一种显示装置的驱动方法，在一条栅线的扫描周期内，所述扫描周期被划分为第一时段、第二时段和第三时段，所述第二时段的时序在所述第一时段与所述第三时段之间，该方法包括：

在所述扫描周期的第一时段，向上述的阵列基板中的一条栅线输出正向开启电压；

在所述扫描周期的第二时段，向上述阵列基板中的所述栅线输出0V电压；

在所述扫描周期的第三时段，向上述阵列基板中的所述栅线输出负向开启电压。

在相同分辨率下，本发明提供的阵列基板，由于栅极负压开启的像素开关和栅极正压开启的像素开关采用多栅极结构。因此，本发明提供的阵列基板及包含该阵列基板的显示装置可以有效抑制漏电流的产生。另外，本发明提供的显示装置的驱动方法，通过应用在本发明提供的显示装置上，实现了上述的产品的有益效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的阵列基板局部结构示意图；

图2为本发明实施例提供的第一种阵列基板结构示意图；

图3为本发明实施例提供的第二种阵列基板结构示意图；

图4为本发明实施例提供的第三种阵列基板结构示意图；

图5为本发明实施例提供的第四种阵列基板结构示意图；

图6为本发明实施例提供的第五种阵列基板结构示意图；

图7为本发明实施例提供的第六种阵列基板结构示意图；