[发明专利]电子装置和半导体基板

权利要求书

1.一种电子装置，所述电子装置包括：

光源；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含有机半导体层；以及

吸光透光层，所述吸光透光层设置于将从所述光源生成的光引导至所述有机半导体层的路径中，所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波长范围的光透过。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层的光吸收波长范围包括与所述有机半导体层的吸收光谱中出现的单个或多个吸收峰中的至少一个吸收峰相对应的波长范围。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层的光透过波长范围包括光学处理所用的光的波长范围。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层的所述光透过波长范围包括对所述吸光透光层进行光学图形化时所用的光的波长范围。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层是绝缘层。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层是导电层。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在有机电致发光显示装置中，所述光源是有机电致发光层，所述吸光透光层设置于所述有机电致发光层与所述有机半导体层之间。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在液晶显示装置中，所述光源是背光源，所述吸光透光层设置于所述背光源与所述有机半导体层之间。

10.根据权利要求1所述的电子装置，还包括遮光层，所述遮光层设置于将从所述光源生成的光引导至所述有机半导体层的所述路径中，所述遮光层用于遮挡从所述光源生成的光。

11.根据权利要求10所述的电子装置，所述遮光层是非透光性电极。

12.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，在有机电致发光显示装置中，所述吸光透光层是层间绝缘层、像素分隔绝缘层、栅极绝缘层和平坦化绝缘层中的至少一者。

13.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，在有机电致发光显示装置中，所述吸光透光层是栅极电极、源极电极、漏极电极和像素电极中的至少一者。

14.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，在液晶显示装置中，所述吸光透光层是层间绝缘层、栅极绝缘层和平坦化绝缘层中的至少一者。

15.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，在液晶显示装置中，所述吸光透光层是栅极电极、源极电极和漏极电极中的至少一者。

16.一种电子装置，所述电子装置包括：

光源；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及

吸光透光层，所述吸光透光层设置于将从所述光源生成的光引导至所述有机半导体层的路径中，所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。

17.一种半导体基板，所述半导体基板包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及

吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中，所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波长范围的光透过。

18.根据权利要求17所述的半导体基板，其特征在于，所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。

19.一种半导体基板，所述半导体基板包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及

吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中，所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。