[发明专利]可变电阻存储器设备及其驱动方法

权利要求书

1.一种可变电阻存储器设备，包括：

存储器阵列部分，包括使用存储元件的主存储器单元，所述存储元件的电阻根据施加到该存储元件的相对端的设置在不同极性的信号，以可逆的方式增大或减小；以及

参考单元部分，包括配备有存储元件的参考单元，所述存储元件的电阻根据施加到该存储元件的相对端的设置在不同极性的信号，以可逆的方式增大或减小，并且该参考单元部分生成用于识别主存储器单元的数据的参考电流，

其中根据参考单元的电阻状态设置充当参考电流的所施加电流的方向。

2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，

其中在主存储器单元和参考单元中使用的存储元件在高电阻状态和低电阻状态中的任何一个状态下，所述高电阻状态和低电阻状态分别表示存储元件中存储的数据的两种状态，

参考单元部分具有高电阻状态下的参考单元，以及

该参考单元部分由参考单元单独或彼此并联连接而构成，以便生成在不改变作为参考单元的高电阻状态的存储状态的电流方向上的参考电流。

3.根据权利要求2所述的可变电阻存储器设备，

其中主存储器单元和参考单元的每个具有将分别在主存储器单元和参考单元中使用的存储元件和存取晶体管串联连接的电流通路,

存储元件的数据存储状态由于作为由施加到存储元件的电压导致的电阻改变的、由存储元件的电阻所展现出的改变而改变，

对于存储器阵列部分中使用的主存储器单元，电流通路的相对端的特定的一端连接到第一线，同时电流通路的相对端的另一端连接到第二线，以及

对于参考单元部分中使用的参考单元，电流通路的相对端的特定的一端连接到第一线，同时电流通路的相对端的另一端连接到第二线。

4.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，

其中在主存储器单元和参考单元中使用的存储元件在高电阻状态和低电阻状态中的任何一个状态下，所述高电阻状态和低电阻状态分别表示存储元件中存储的数据的两种状态，

参考单元部分具有低电阻状态下的参考单元，以及

该参考单元部分由参考单元单独或者彼此串联连接而构成，以便生成在不改变作为参考单元的低电阻状态的存储状态的电流方向上的参考电流。

5.根据权利要求4所述的可变电阻存储器设备，

其中主存储器单元和参考单元的每个具有将分别在主存储器单元和参考单元中使用的存储元件和存取晶体管串联连接的电流通路,

存储元件的数据存储状态由于作为由施加到存储元件的电压导致的电阻改变的、由存储元件的电阻所展现出的改变而改变，

对于存储器阵列部分中使用的主存储器单元，电流通路的相对端的特定的一端连接到第一线，同时电流通路的相对端的另一端连接到第二线，以及

对于参考单元部分中使用的参考单元，电流通路的相对端的特定的一端连接到提供参考电势的线，同时电流通路的相对端的另一端连接到第一线。

6.根据权利要求1所述的可变电阻存储器设备，

其中在主存储器单元和参考单元中使用的存储元件在高电阻状态和低电阻状态中的任何一个状态下，所述高电阻状态和低电阻状态分别表示存储元件中存储的数据的两种状态，

参考单元部分被配置为包括高电阻状态下的参考单元和低电阻状态下的参考单元的多种组合，以及

该参考单元部分由参考单元单独、彼此串联连接或者彼此并联连接而构成，以便生成在不改变存储状态的电流方向上的参考电流，所述存储状态是参考单元的高电阻状态和参考单元的低电阻状态。