[发明专利]具有选择性射极结构的太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种具有选择性射极结构的太阳能电池，是由单晶或多晶且具有电性掺杂的硅基板制造而成，其特征在于：

该硅基板受光侧具有数条沟槽，且各沟槽的深度在0.5μm至100μm之间，并且该硅基板受光侧表面含有第一表面区域与第二表面区域，其皆含有异于该硅基板电性掺杂之外的电性掺杂，其中该第一表面区域包括该数条沟槽区的表面含有第一掺杂层，而该第二表面区域包括该硅基板受光侧的非沟槽区的表面含有第二掺杂层；

上述该硅基板受光侧表面的第一掺杂层与第二掺杂层，是于形成有数条沟槽的硅基板受光侧表面经过高浓度的电性掺杂扩散后，经由涂布一阻挡层于该些沟槽区，并以化学湿式蚀刻蚀去非沟槽区表面的一部分厚度，使该区域形成具有较低掺杂浓度的第二掺杂层，而沟槽区表面则维持原始高浓度的电性掺杂而形成该第一掺杂层。

2.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧表面的数条沟槽内含有一前电极。

3.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧表面具有一抗反射层，且该抗反射层的材料至少含有氮化硅、氧化锌、氧化锡、氧化锡铟或二氧化硅之一。

4.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧表面具有一钝化层，且该钝化层的材料至少含有二氧化硅、氮化硅、硅氮氧化物、氧化铝、硝酸铝或非晶硅之一。

5.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧第一表面区域与第二表面区域皆具有局限光线的粗纹结构。

6.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板受光侧第二表面区域具有局限光线的粗纹结构，而其第一表面区域则不具有局限光线的粗纹结构。

7.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂层与该第二掺杂层的电性皆与该硅基板电性掺杂相反。

8.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂层与该第二掺杂层的电性皆与该硅基板电性掺杂相同，且其掺杂浓度皆大于该硅基板的掺杂浓度。

9.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板背面具有一背表面场以及一背电极。

10.如权利要求9所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述背表面场是以具有电性掺杂的掺杂层镀膜于该硅基板背表面形成。

11.如权利要求10所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板背面具有电性掺杂的掺杂层，且该掺杂层至少含有非晶硅、结晶硅、非晶硅锗化合物或结晶硅锗化合物之一。

12.如权利要求9所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述背表面场是使用掺杂元素以高温扩散方式形成，而该掺杂元素至少为含有周期表中III A族或V A族元素之一。

13.如权利要求1所述的具有选择性射极结构的太阳能电池，其特征在于：所述硅基板背面具有一钝化层，且该钝化层的材料至少含有二氧化硅、氮化硅、硅氮氧化物、氧化铝、硝酸铝或非晶硅之一。