[发明专利]电容结构

说明书

技术领域

本发明有关于一种半导体装置结构，特别是有关于一种电容结构。

背景技术

电容是集成电路装置中的关键组件。随着装置尺寸向下微缩与电路密度的增加，制作出维持相当电容量且可有效缩减占用集成电路面积的电容组件愈显重要。目前，多晶硅(polysilicon)电容与金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal,MOM)电容已被业界所使用，其中MOM电容因拥有低电容漏失的优点而较获青睐。

图1为现有MOM电容结构。现有的MOM电容结构包括多个平行金属线2，设置于基底1上。偶数金属线2′彼此连接，形成梳状结构3。奇数金属线2″也彼此连接形成另一个梳状结构4。此外，另一个金属线5围绕金属线2，以屏蔽基底电荷。

发明内容

为了解决现有技术中寄生电容的干扰，本发明提供一种新的电容结构，来降低干扰。

本发明的一个实施方式，提供一种电容结构，包括：多个第一导线，平行设置于基底上的导电层中，上述第一导线彼此分离，且分为第一电极群组与第二电极群组，第一电极群组的第一导线与上述第二电极群组的第一导线是交替设置的；绝缘层，形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域；第二导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第一电极群组的第一导线；第三导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的第一导线，以及第一过孔结构，形成于绝缘层中，包括多个过孔插栓，第一过孔结构对应多个第一导线其中之一。

本发明的另一个实施方式，提供另一种电容结构，包括：多个第一导线，平行设置于基底上的导电层中，上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组，第一电极群组的第一导线与上述第二电极群组的第一导线是交替设置的；第二导线，设置于上述导电层中，以第一方向延伸，电性连接于上述第一电极群组的第一导线，同时以第二方向延伸，与第一电极群组的第一导线的另一端距离特定的距离；绝缘层，形成于上述多个第一导线与上述第二导线上并填入上述多个第一导线间的区域；第三导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的第一导线以及第四导线，形成于绝缘层上并电性连接于第一电极群组的第一导线，以及第一过孔结构，形成于绝缘层中，包括多个过孔插栓，第一过孔结构对应多个第一导线其中之一。

本发明的电容结构能具有更小的电容干扰，保证更稳定的工作。

附图说明

图1为现有MOM电容结构的上视图。

图2A为本发明的MOM电容结构之第一实施方式的上视图。

图2B为沿图2A的2B-2B剖面线所得的MOM电容结构剖面示意图。

图2C为沿图2A的2B’-2B’剖面线所得的MOM电容结构剖面示意图。

图3~4为本发明的过孔结构的实施方式的上视图。

图5A为本发明的MOM电容结构的第二实施方式的上视图。

图5B为沿图5A的5B-5B剖面线所得的MOM电容结构剖面示意图。

图6为本发明MOM电容结构的第三实施方式的上视图。

具体实施方式

在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来称呼特定的元件。本领域的技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求书当中所提及的“包含”是开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。此外，“耦接”一词在此是包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表第一装置可直接电气连接于第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电气连接到第二装置。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施方式，并配合所附图示，作详细说明如下：

本发明的一个实施方式，提供一种电容结构，包括多个分离的第一金属线，平行设置于基底上；绝缘层(例如氧化层)，形成于第一金属线上并填入第一金属线间的区域，第二金属线，形成于绝缘层上并电性连接于奇数的第一金属线(第一电极群组)，第三金属线，形成于绝缘层上并电性连接于偶数的第一金属线(第二电极群组)。