[发明专利]机动车照明装置在审
| 申请号: | 201210294687.5 | 申请日: | 2012-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN102954422A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
| 发明(设计)人: | 卡米斯拉夫·法德勒;迈克尔·哈姆;沃尔夫冈·霍夫尔德;克里斯蒂安·巴克伯杰 | 申请(专利权)人: | 汽车照明罗伊特林根有限公司 |
| 主分类号: | F21S8/10 | 分类号: | F21S8/10;F21V19/00;F21V29/00;F21V13/02;F21W101/10;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 北京市路盛律师事务所 11326 | 代理人: | 吴振江 |
| 地址: | 德国罗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 机动车 照明 装置 | ||
1.一种用于机动车的前大灯(10),具有至少两个半导体光源(18.1、...、18.5;20.1、…、20.5),并具有折射和/或反射光线的光学器件(20;22;38;32),所述光学器件是这样设计和设置的,使得至少两个半导体光源(18.1、…、18.5;20.1、…、20.5)的光线这样指向前大灯(10)的前部区域,即,在该处产生符合规定的光分布,并且其中所述至少两个半导体光源和光学器件是这样设置的,即,由所述至少两个半导体光源中的第一个照亮的光分布局部区域(48、50、52、54)与由所述至少两个半导体光源中的第二个照亮的光分布局部区域不同,其特征在于,所述至少两个半导体光源的第一半导体光源是第一构造形式,并且所述至少两个半导体光源的第二半导体光源是第二构造形式,其中,所述第一构造形式和所述第二构造形式的区别在于,它们的半导体光源具有不同的光通量和不同的效率。
2.根据权利要求1所述的前大灯(10),其特征在于,在光通量要求不同的局部区域中,通过发出较大光通量的半导体光源来照亮光通量要求较高的局部区域。
3.根据权利要求1或2所述的前大灯(10),其特征在于,在光通量要求不同的局部区域中,借助具有较高效率的半导体光源来照亮光通量要求较低的局部区域。
4.根据上述权利要求之任一项所述的前大灯(10),其特征在于,为光模块(12)的所有半导体光源使用公共的冷却体(24)。
5.根据上述权利要求之任一项所述的前大灯(10),其特征在于,单个附加光学结构是一体的附加光学结构支架(46)的组成部分。
6.根据权利要求1所述的前大灯(10),其特征在于,用于所述至少两个光源中的每一个的光学器件具有附加光学结构和用于多个半导体光源的公共的次级光学透镜(30),其中,所述附加光学结构分别设置为,使得半导体光源的光线会聚并直接和/或间接地指向次级光学透镜,并且其中,所述次级光学透镜设置为,使得照射到它上面的光线指向前大灯的前部区域。
7.根据上述权利要求之任一项所述的前大灯(10),其特征在于,所述附加光学结构是会聚光线的TIR-光学透镜或附加透镜。
8.根据上述权利要求之任一项所述的前大灯(10),其特征在于,所述光学器件具有遮光板(38)。
9.根据权利要求8所述的前大灯(10),其特征在于,所述遮光板(38)是反射式遮光板,它设计和设置为,使得所述半导体光源照射到反射表面上的光线反射到次级光学透镜上。
10.根据上述权利要求之任一项所述的前大灯(10),其特征在于,在前大灯的前部区域中的光分布具有中央局部区域和包围该中央局部区域的周边局部区域,其中,所述中央局部区域通过至少一个第一构造形式的半导体光源来照亮。
11.根据上述权利要求之任一项所述的前大灯(10),其特征在于,至少一个周边局部区域通过至少一个第二构造形式的半导体光源来照亮。
12.根据上述权利要求之任一项所述的前大灯(10),其特征在于,光分布作为周边局部区域具有左边的侧面照亮区域、左边的前部区域、中央的前部区域、右边的前部区域和右边的侧面照亮区域以及中央的最大区域以及不对称的光分布的中央梯度区域。
13.根据上述权利要求之任一项所述的前大灯(10),其特征在于,所述左边的侧面照亮区域和右边的侧面照亮区域以及中央的最大区域借助各两个半导体光源来照明,而其它的局部区域借助分别一个半导体光源来照亮。
14.根据权利要求12所述的前大灯(10),其特征在于,中央的最大区域由两个第一构造形式的半导体光源照亮。
15.根据权利要求12所述的前大灯(10),其特征在于,所述左边的侧面照亮区域和右边的侧面照亮区域由两个第二构造形式的半导体光源或由各一个第一构造形式和第二构造形式的半导体光源照亮。
16.根据权利要求12所述的前大灯(10),其特征在于,不对称的光分布的中央梯度区域通过第一构造形式的半导体光源照亮。
17.根据上述权利要求之任一项所述的前大灯(10),其特征在于,所述第一构造形式的半导体光源比第二构造形式的半导体光源产生更高的光通量,并具有更低的效率。
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