[发明专利]一种声表面波气体传感器基片

权利要求书

1.一种声表面波气体传感器基片，其特征在于所述声表面波气体传感器基片自上而下采用多孔类金刚石/叉指换能器/压电薄膜/金刚石结构；声表面波气体传感器基片由：在硅衬底上采用化学气相沉积CVD法制备金刚石膜，然后在金刚石膜上使用物理气相沉积PVD法或化学气相沉积CVD法制备压电薄膜，再在压电薄膜上使用电子束蒸发系统和光刻系统制备叉指换能器，然后在叉指换能器上采用化学气相沉积CVD法制备含氢类金刚石膜，最后采用等离子体刻蚀设备用氢等离子体对类金刚石膜刻蚀纳米孔道，制备成多孔类金刚石膜，而制成。

2.按照权利要求1所述的声表面波气体传感器基片，其特征在于所述金刚石膜的厚度大于由该谐振器中心频率所决定的声表面波波长3倍λ=v/f。

3.按照权利要求1所述的声表面波气体传感器基片，其特征在于所述压电薄膜包含c-BN或AlN薄膜，制备的压电薄膜具有高的c轴取向，其取向平均偏离度小于＜1°～2°,其厚度为1/6~1/4声表面波的波长。

4.按照权利要求1所述的声表面波气体传感器基片，其特征在于所述叉指换能器材料为Al或铝合金，其厚度为1/60~1/50声表面波的波长。

5.按照权利要求1所述的声表面波气体传感器基片，其特征在于所述类金刚石膜为含氢类金刚石膜材料a-C:H。

6.按照权利要求1或5所述的声表面波气体传感器基片，其特征在于所述的含氢类金刚石膜，采用等离子体刻蚀设备用氢等离子体对类金刚石膜刻蚀纳米孔道，制备成纳米孔道的类金刚石膜；所述类金刚石膜上的纳米孔道直径为10nm、3nm、2nm或1nm4个档次，类金刚石膜厚度为10nm～100nm；每个类金刚石膜只含有一个档次直径的纳米孔道，直径不同的纳米孔道的类金刚石膜作为吸附不同气体的敏感膜。