[发明专利]半导体封装构造及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装构造及其制造方法，特别是有关于一种具有薄型重布线转接层的半导体封装构造及其制造方法。

背景技术

现今，半导体封装产业为了满足各种高密度封装的需求，逐渐发展出各种不同型式的封装构造，其中各种不同的系统封装(system in package，SIP)设计概念常用于架构高密度封装构造，上述系统封装又可再分为多芯片模块(multi chip module，MCM)、封装体上堆叠封装体(package on package，POP)及封装体内堆叠封装体(package in package，PIP)等。此外，也有为了缩小封装构造体积而产生的设计概念，例如晶圆级封装构造(wafer level package，WLP)、芯片尺寸封装构造(chip scale package，CSP)以及无外引脚封装构造(quad-flat no-lead package，QFN)等。

举例来说，一种现有晶圆级封装构造(WLP)可能包含一电路基板、一硅间隔层(silicon interposer)、一芯片、一封装胶材及一底部填充胶(underfill)，其中所述电路基板的上表面具有数个接垫，及其下表面具有数个锡球；所述硅间隔层的下表面具有一重布线层(re-distributed layer，RDL)，及所述硅间隔层的上表面具有数个焊垫，所述硅间隔层内部并具有数个穿硅导通孔(through silicon via，TSV)，及所述重布线层裸露有数个重分布焊垫分别结合有一凸块，所述重布线层通过所述凸块电性连接在所述电路基板的接垫上；所述芯片的一有源表面朝下并具有数个焊垫，各焊垫结合有一凸块，所述芯片通过所述凸块电性连接在所述硅间隔层的焊垫上；所述底部填充胶填充在所述硅间隔层的重布线层与所述电路基板的上表面之间，以及填充在所述硅间隔层的上表面与所述芯片的有源表面之间；所述封装胶材包覆保护所述硅间隔层、芯片及底部填充胶。

在上述现有晶圆级封装构造中，所述硅间隔层的重布线层用以提供所述重分布焊垫以重新安排所述芯片的输出/输入端子(I/O)的位置并扩大其间距，同时可以利用所述硅间隔层对所述芯片进行散热。然而，所述硅间隔层的硅基材部分实际上并不具有提供重新分布线路的功能，但所述硅基材部分的厚度(200至700微米)却是数十倍于所述重布线层的厚度。再者，所述硅间隔层的硅基材部分也必需利用成本较高的晶圆工艺来制作所述穿硅导通孔(TSV)。因此，所述硅间隔层的硅基材部分不利于所述现有晶圆级封装构造的薄型化趋势，同时也不利于降低此类封装产品的封装成本。

故，有必要提供一种半导体封装构造及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体封装构造及其制造方法，以解决现有封装技术使用硅间隔层时所存在的薄型化及加工成本问题。

本发明的主要目的在于提供一种半导体封装构造及其制造方法，其是在制造过程中去除半导体基材层，以制作一不具有硅基材的薄型重布线转接层，所述薄型重布线转接层可直接用于转接在芯片与电路基板之间，以取代现有的硅间隔层，由于所述薄型重布线转接层在成品中并不具有硅基材，也不需进行穿硅导通孔(TSV)工艺，因此有利于封装构造的薄型化趋势，并可相对降低封装产品的封装成本。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种半导体封装构造的制造方法，其包含步骤：提供一薄型重布线转接层，所述薄型重布线转接层设于一半导体基材层上，所述薄型重布线转接层的内部具有至少一电路层，及所述薄型重布线转接层的一下表面具有数个转接凸块；通过一粘着层将所述薄型重布线转接层的下表面固定在一临时性承载板上；移除所述半导体基材层，以裸露所述薄型重布线转接层的一上表面；对所述薄型重布线转接层的上表面进行钻孔以形成数个通孔，所述通孔分别露出所述电路层的数个部分；将一芯片电性连接在所述薄型重布线转接层的所述电路层的所述数个露出部分；利用一封装胶体包覆所述芯片；以及移除所述粘着层及临时性承载板，以裸露所述薄型重布线转接层的下表面的转接凸块。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1是本发明一实施例半导体封装构造的剖视图。

图2A至2F是本发明一实施例半导体封装构造的制造方法的流程示意图。

图3是本发明图1实施例半导体封装构造与电路基板结合的剖视图。

图4是本发明另一实施例半导体封装构造的剖视图。