[发明专利]利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法无效
申请号: | 201210294113.8 | 申请日: | 2012-08-18 |
公开(公告)号: | CN102808176A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 韩晓军;王磊;王雪靖 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C26/00 | 分类号: | C23C26/00;B05D3/10;C08J5/18;C08J7/12 |
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地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 有限 空间 等离子体 氧化 制备 双向 化学 梯度 表面 方法 | ||
1.一种利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:
1)基底表面清洗:基底在醇溶液中超声5~10分钟,氮气吹干,并用超纯水清洗,最后浸泡在Piranha溶液中5~10分钟;
2)自组装膜的制备:将清洗好待用的基底浸泡到体积比为0.5~2%硅烷的苯溶液中或0.5~2 mM硫醇的醇溶液中;
3)等离子体氧化过程:在制备好的自组装膜基底上方放置屋脊型的载玻片,然后置于等离子体清洗机中在功率为30~90W的条件下反应1~30秒,得到不同深度的双向化学梯度。
2. 根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述醇溶液为甲醇或乙醇溶液。
3.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述Piranha溶液为硫酸和双氧水体积比70:30的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述基底为玻璃基底、硅片基底或金片基底。
5.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述浸泡时间为1~24小时。
6.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述硅烷为烷基/氨基硅烷,硫醇为烷基/氨基硫醇。
7.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述苯溶液为甲苯溶液。
8.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述屋脊型的载玻片为由两个载玻片粘合形成的“Λ”型空间。
9.根据权利要求1或8所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述屋脊型的载玻片的顶角为150~178°。
10.根据权利要求8所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述载玻片的长度为0.5~2.5厘米,宽度为1~3厘米。
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