[发明专利]利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法无效

专利信息
申请号: 201210294113.8 申请日: 2012-08-18
公开(公告)号: CN102808176A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 韩晓军;王磊;王雪靖 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C23C26/00 分类号: C23C26/00;B05D3/10;C08J5/18;C08J7/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 利用 有限 空间 等离子体 氧化 制备 双向 化学 梯度 表面 方法
【权利要求书】:

1.一种利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:

1)基底表面清洗:基底在醇溶液中超声5~10分钟,氮气吹干,并用超纯水清洗,最后浸泡在Piranha溶液中5~10分钟;

2)自组装膜的制备:将清洗好待用的基底浸泡到体积比为0.5~2%硅烷的苯溶液中或0.5~2 mM硫醇的醇溶液中;

3)等离子体氧化过程:在制备好的自组装膜基底上方放置屋脊型的载玻片,然后置于等离子体清洗机中在功率为30~90W的条件下反应1~30秒,得到不同深度的双向化学梯度。

2.    根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述醇溶液为甲醇或乙醇溶液。

3.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述Piranha溶液为硫酸和双氧水体积比70:30的混合溶液。

4.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述基底为玻璃基底、硅片基底或金片基底。

5.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述浸泡时间为1~24小时。

6.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述硅烷为烷基/氨基硅烷,硫醇为烷基/氨基硫醇。

7.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述苯溶液为甲苯溶液。

8.根据权利要求1所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述屋脊型的载玻片为由两个载玻片粘合形成的“Λ”型空间。

9.根据权利要求1或8所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述屋脊型的载玻片的顶角为150~178°。

10.根据权利要求8所述的利用有限空间等离子体氧化制备双向化学梯度表面的方法,其特征在于所述载玻片的长度为0.5~2.5厘米,宽度为1~3厘米。

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