[发明专利]一种深孔交错背接触太阳能电池结构及其制造方法

权利要求书

1.一种深孔交错背接触太阳能电池结构，包括硅衬底（101）上具有的后表面（102）和相对的前表面（103），在后表面（102）上交错形成多个P+型或N+型扩散区（106）和N+型或P+型扩散区（107），在前表面（103）形成连续的扩散区（108），其特征在于：在后表面（102）上交错形成的P+型或N+型扩散区（106）和N+型或P+型扩散区（107）上表面分别形成多个深度相等的深孔（104）。

2.根据权利要求1所述的一种深孔交错背接触太阳能电池结构，其特征在于：所述P+型或N+型扩散区（106）和N+型或P+型扩散区（107）分别通过其上的深孔（104）的上表面沿深孔（104）内壁、底部至所述硅衬底（101），但不到达所述前表面（103）形成的连续的扩散区（108）。

3.根据权利要求1所述的一种深孔交错背接触太阳能电池结构，其特征在于：所述硅衬底（101）选择N型或者P型的单晶或多晶硅片，硅衬底厚度在50-250um范围内。

4. 根据权利要求1所述的一种深孔交错背接触太阳能电池结构，其特征在于：所述深孔（104）的深度在5-250um范围内。

5.根据权利要求4所述的一种深孔交错背接触太阳能电池结构，其特征在于：所述深孔（104）的深度大于P+型或N+型扩散区（106）和N+型或P+型扩散区（107）上表面扩散的深度。

6.根据权利要求1所述的一种深孔交错背接触太阳能电池结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

（一）.采用激光烧蚀的方法，在硅衬底的后表面形成多个深孔的结构； 

（二）. 将P+型掺杂剂扩散到硅衬底后表面的P+型扩散区，使得硅衬底的后表面上所有P+型扩散区都具有P+型掺杂剂类型，且从后表面沿深孔进入硅衬底；

（三）.将N+型掺杂剂扩散到硅衬底后表面的N+型扩散区，使得硅衬底的后表面上所有N+型扩散区都具有N+型掺杂剂类型，且从后表面沿深孔进入硅衬底；

（四）.将P+型或者N+型掺杂剂扩散到硅衬底的前表面，形成与硅衬底具有相同导电类型的扩散区。

7.根据权利要求6所述的一种深孔交错背接触太阳能电池结构的制造方法，其特征在于：所述P+型掺杂剂的扩散是将含硼的二氧化硅和不含杂质的二氧化硅先后沉积于硅衬底的后表面所有的P+型扩散区和N+型扩散区以及深孔的内壁及底部，采用丝网印刷或者平行光曝光的方法刻蚀掉N+型扩散区以及N+型扩散区范围内深孔内壁及底部覆盖的含硼二氧化硅和不含杂质的二氧化硅，然后加热硅衬底，使得二氧化硅中的硼扩散到所有的P+型扩散区上，且从P+型扩散区沿深孔进入硅衬底。

8.根据权利要求7所述的一种深孔交错背接触太阳能电池结构的制造方法，其特征在于：在形成P+型扩散区后，将含磷的二氧化硅沉积于所述硅衬底的后表面的P+型和N+型扩散区以及P+型和N+型扩散区内深孔的内壁和底部，然后加热硅衬底，使得二氧化硅中的磷被扩散到硅衬底的后表面所有的N+型扩散区，且从N+型扩散区沿深孔进入硅衬底中，P+型扩散区上不含杂质的二氧化硅阻止含磷二氧化硅中的磷扩散到所有的P+型扩散区以及P+型扩散区内的深孔。

9.根据权利要求8所述的一种深孔交错背接触太阳能电池结构的制造方法，其特征在于：在形成P+型扩散区和N+型扩散区后，将硅衬底置于含有三氯氧磷的炉管中，使得三氯氧磷中的磷被扩散到前表面的扩散区，且硅衬底后表面的含硼和磷的二氧化硅以及不含杂质的二氧化硅阻止三氯氧磷中的磷扩散到硅衬底的后表面所有的P+型扩散区和N+型扩散区以及P+型扩散区和N+型扩散区中的深孔。