[发明专利]台面型石英晶体振动件及石英晶体装置

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2011年8月17日在日本专利局申请的日本专利申请案第2011-178554号的优先权和权益，该案的揭示内容全部以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及台面型(mesa type)晶体单元，所述台面型晶体单元具有在石英晶体振动件的中央包含厚部分的结构，所述厚部分比其外围部分厚且用作振动器，尤其涉及一种台面型石英晶体振动件及石英晶体装置。

背景技术

现今，随着电子装置小型化，需要进一步小型化的石英晶体装置，诸如，晶体单元。小型化的电子装置使得激励电极与支撑并紧固石英晶体振动件的区域之间的距离狭窄。因此，导电粘合剂以及支撑部分可能会不利地影响石英晶体振动件的振动。

日本未审查专利申请公开案第2003-17978号揭示一种石英晶体振动件。所述石英晶体振动件包含压电振动区域，所述压电振动区域具有石英晶体振动件中除涂覆了导电粘合剂的电接合区域之外的整个长度。压电振动区域的长度(在X轴方向上)的中心与激励电极的表面的长度(在X轴方向上)的中心一致。这因而提供了足以用于振荡的CI值，因此确保了如下有利效果：避免了对石英晶体振动件的振动的不利影响。

然而，发明者重复进行试验并有如下发现。与激励电极的中心与导电粘合剂之间的距离无关，如果激励电极的相应长度的中心相对于石英晶体振动件的长度的中心偏心达给定量，那么CI值减小。

因此，本发明的目标为提供一种石英晶体振动件以及一种石英晶体装置，所述石英晶体振动件及石英晶体装置减小台面型(mesa type)石英晶体振动件中的CI值。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种台面型(mesa type)石英晶体振动件。所述台面型石英晶体振动件包含：振动器，所述振动器为具有两个主要表面的四边形形状；一对激励电极，所述激励电极位于所述两个主要表面上；薄部分，所述薄部分位于所述四边形形状之外；以及一对引出电极。所述薄部分的厚度比所述振动器的厚度薄。所述一对引出电极是从所述激励电极向预定方向引出。所述激励电极在预定方向上的第一长度的中心相对于在所述预定方向上的第二长度的中心偏心。所述第二长度包含所述振动器的长度以及所述薄部分的长度。所述第一长度的中心朝向引出电极的相对侧偏心了25微米到65微米。

本发明的另一方面涉及一种石英晶体装置，包括：所述的台面型石英晶体振动件；底板，所述台面型石英晶体振动件放置于所述底板上；以及盖板，所述盖板与所述底板一起形成空腔，所述空腔容纳所述台面型石英晶体振动件。

本发明提供足以用于小型化的石英晶体振动件中的振荡的CI值。本发明还提供了避免对石英晶体振动件的振动造成不利影响的石英晶体振动件或石英晶体装置。

附图说明

从参看附图描述的以下具体实施方式中，本发明的前述以及额外的特征与特性将变得更明显，在附图中：

图1A是根据第一实施例的不含盖的第一晶体单元100的平面图。

图1B是沿着第一晶体单元100的线A-A’的剖面图。

图2是说明CI值与偏心量之间的关系的曲线图，所述偏心量是激励电极的相应长度的中心与石英晶体振动件的长度的中心之间的偏心量。

图3是根据第二实施例的第二晶体单元110的分解透视图。

图4A是沿着图3的线B-B’的剖面图。

图4B是第二晶体单元110的石英晶体框架30的平面图。

具体实施方式

第一实施例

根据第一实施例的第一晶体单元100的总体配置

将通过参看图1A以及图1B来描述第一晶体单元100的总体配置。图1A是根据第一实施例的不含第一盖10的第一晶体单元100的平面图。图1B是在第一盖10与陶瓷底板40接合在一起之前沿着第一晶体单元100的线A-A’的剖面图。

此处，石英晶体振动件使用AT切割型石英晶体振动件(AT-cut quartz-crystal vibrating piece)20。即，AT切割型石英晶体振动件的主表面(在Y-Z平面中)绕X轴在Z轴到Y轴的方向上相对于晶体坐标系(XYZ)的Y轴倾斜了35°15′。因此，在第一实施例中，相对于AT切割型石英晶体振动件的轴线方向倾斜的新轴线表示为Y′轴以及Z′轴。因此，在第一实施例中，第一晶体单元100的纵向方向称为X轴方向，第一晶体单元100的高度方向称为Y′轴方向，且垂直于X轴方向以及Y′轴方向的方向称为Z′轴方向。此配置类似于下文第二实施例的配置。