[发明专利]多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

权利要求书

1.一种多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，提供衬底；

步骤2，通过等离子体增强化学气相沉积和含氮气体处理两步循环的方式在所述衬底上形成氧化硅层；

步骤3，对所述氧化硅层进行光刻及刻蚀，去除MOM电容区域之外的氧化硅层；

步骤4，沉积低K值介质层，所述低K值介质层覆盖所述衬底及所述MOM电容区域的氧化硅层，并用化学机械研磨去除高出MOM电容区域的氧化硅层的多余的低k值介质层，形成低k值介质层和氧化硅层的混合层；

步骤5，对所述低k值介质层和氧化硅层的混合层进行光刻及刻蚀，分别在所述低K值介质层及所述氧化硅层中形成互连金属槽及电容金属槽；

步骤6，在所述互连金属槽及电容金属槽中填充金属；重复步骤2至步骤6。

2.如权利要求1所述的多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积采用的反应气体包括硅烷和一氧化二氮。

3.如权利要求2所述的多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，所述硅烷的流量在500sccm至600sccm之间，所述一氧化二氮的流量在9000sccm至15000sccm之间，硅烷与一氧化二氮的流量比为1:15至1:30之间，成膜速率在1500纳米/分钟至5000纳米/分钟之间。

4.如权利要求1所述的多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，所述含氮气体包括一氧化氮、一氧化二氮或氮气。

5.如权利要求1所述的多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，所述含氮气体处理所采用的含氮气体流量在2000sccm至6000sccm之间，处理温度在300摄氏度至600摄氏度之间。

6.如权利要求1所述的多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，所述通过等离子增强化学气相沉积和含氮气体处理两步循环的方式形成氧化硅的过程中，每次沉积的氧化硅厚度为1纳米至10纳米。