[发明专利]一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺

权利要求书

1.一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺，其特征在于：通过以下步骤实现：

（1）、在N+衬底上生长N外延层，然后深槽刻蚀并深槽外延填充形成P柱；

（2）、利用P型体区光刻版掩膜使用较低能量的硼离子注入并高温推结形成P型体区；

（3）、在形成P型体区之后采用高能硼离子使用接触孔光刻版掩膜注入在P型体区内形成P+区埋层结构；

（4）、通过干氧工艺制作致密的栅氧化层、多晶硅淀积并利用多晶硅光刻版掩膜刻蚀得到多晶硅栅结构；

（5）、高浓度的砷离子采用多晶硅栅结构自对准注入，形成N+源区；

（6）、在多晶硅栅结构表面淀积BPSG介质层，在950℃氮气氛围下回流30分钟，并使用接触孔光刻版掩膜对BPSG介质层刻蚀及硅外延层的过刻蚀形成浅槽；

（7）、整个器件的上表面淀积一层铝，并利用金属光刻版掩膜刻蚀铝形成源电极和栅电极，钝化，背面金属化形成漏电极。

2.根据权利要求1所述的一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺，其特征在于：所述的制作工艺的步骤（1）中P柱也可以通过多次外延多次离子注入之后进行长时间高温推结形成。

3.根据权利要求1所述的一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺，其特征在于：所述的制作工艺的步骤（1）中P柱通过深槽刻蚀并进行P型外延填充方式进行制备。

4.根据权利要求1所述的一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺，其特征在于：所述的制作工艺的步骤（2）中P型体区采用硼离子注入能量为20~80KeV，剂量为1×10¹⁵cm^-2~9×10¹⁵cm^-2。

5.根据权利要求1所述的一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺，其特征在于：所述的制作工艺的步骤（3）中P⁺区埋层结构采用硼离子注入能量为60~200KeV，剂量为2×10¹⁵cm^-2~2×10¹⁶cm^-2。

6.根据权利要求1所述的一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺，其特征在于：所述的制作工艺的步骤（5）中N⁺源区结构采用磷离子注入能量为20~80KeV，剂量为3×10¹⁵cm^-2~2×10¹⁶cm^-2。