[发明专利]具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种具有无发射极区的太阳能电池，包括硅基体，在硅基体受光面上具有栅线，栅线分为细栅（2）和汇集细栅（2）电流的主栅（4），其特征是：在所述的硅基体的受光面上具有发射极区和无发射极区，无发射极区位于主栅覆盖区域内，主栅（4）和无发射极区的硅基体通过介质膜（5）隔离，细栅（2）与无发射极区（3）的硅基体不接触。

2.根据权利要求1所述的具有无发射极区的太阳能电池，其特征是：硅基体受光面的无发射极区（3）外的其他区域均为具有发射极的发射极区。

3.根据权利要求1所述的具有无发射极区的太阳能电池，其特征是：所述的发射极区的发射极为均匀发射极或选择性发射极。

4.根据权利要求1所述的具有无发射极区的太阳能电池，其特征是：所述的主栅（4）的边缘和无发射极区（3）边缘的距离为0.1mm~2mm。

5.根据权利要求1所述的具有无发射极区的太阳能电池，其特征是：所述的介质膜（5）为SiO₂、SiN_x:H、Al₂O₃、AlO_x中的其中一种，或者其中几种的叠层膜。

6.一种权利要求1所述的具有无发射极区的太阳能电池的制备方法，其特征是：在热扩散或者离子注入掺杂工艺中，通过扩散掩模或离子注入挡板覆盖主栅（4）下的无发射极区（3），在无发射极区（3）外的其他区域形成均匀发射极或选择性发射极,然后在硅基体的受光面镀介质膜（5），在介质膜（5）上制作主栅（4）和细栅（2）。

7.根据权利要求6所述的具有无发射极区的太阳能电池的制备方法，其特征是：在介质膜（5）上制作主栅（4）和细栅（2）的具体工艺为：先印刷细栅（2），通过高温烧结，与硅基体的发射极形成欧姆接触，然后印刷低温烘烤的电极浆料，通过低温烘烤，形成主栅（4）。

8.根据权利要求6所述的具有无发射极区的太阳能电池的制备方法，其特征是：在介质膜（5）上制作主栅（4）和细栅（2）的具体工艺为：先印刷细栅（2），通过高温烧结，与硅基体的发射极形成欧姆接触，然后在主栅（4）区域采用先蒸镀再电镀增厚的方式制作主栅（4）。

9.根据权利要求7或8所述的具有无发射极区的太阳能电池的制备方法，其特征是：背面电极通过印刷的方式印刷至硅基体的背光面上，与印刷的细栅（2）一同高温烧结，与硅基体形成欧姆接触。