[发明专利]一种用碎硅片作为籽晶来铸造多晶硅锭的方法

权利要求书

1.一种用碎硅片作为籽晶来铸造多晶硅锭的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、将碎硅片铺于坩埚底部，坩埚其余空间可以装原生多晶硅或单、多晶循环料配料，装入多晶铸锭炉的炉体并封闭后，开始抽气、加热；

b、在化料阶段，保持底部部分碎硅片不被熔化掉，然后转入长晶阶段；

c、初期长晶，长晶阶段的前三个小时，速度为0.1-1.5厘米/小时；

d、中期长晶速度为1-1.8厘米/小时，后期长晶速度为0.4-1厘米/小时；

e、长晶过程完成后，进入退火、冷却步骤，冷却完成后取出多晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的一种用碎硅片作为籽晶来铸造多晶硅锭的方法，其特征在于，所述的碎硅片包括IC硅片，太阳能单、多晶切割破片，所述碎硅片均为晶体状结构。

3.根据权利要求1所述的一种用碎硅片作为籽晶来铸造多晶硅锭的方法，其特征在于，所述碎硅片铺于坩埚底部和保持底部部分碎硅片不被熔化掉的碎硅片其厚度在3毫米以上，碎硅片层数在两层以上。

4.根据权利要求1或2所述的一种用碎硅片作为籽晶来铸造多晶硅锭的方法，其特征在于，所述碎硅片的最长方向尺度大于10毫米的料的总质量占坩埚底部铺的总的碎硅片质量和的30%以上。

5.根据权利要求1或2所述的一种用碎硅片作为籽晶来铸造多晶硅锭的方法，其特征在于，所述碎硅片中的晶粒最长方向尺寸大于10毫米的晶粒面积占碎硅片总面积的30%以上。