[发明专利]背照式CMOS影像传感器无效
| 申请号： | 201210290693.3 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102779826A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;叶菁 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 影像 传感器 | ||
1.一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：
器件晶圆，所述器件晶圆具有正面及背面，所述器件晶圆中形成有光电二极管，所述光电二极管靠近所述器件晶圆的背面；
金属遮蔽层，所述金属遮蔽层形成于所述器件晶圆的背面，所述金属遮蔽层中形成有开口，所述开口与所述光电二极管对应，所述开口的侧壁上形成有消光层。
2.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述开口正对所述光电二极管。
3.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，还包括高K介质层，所述高K介质层形成于所述器件晶圆和金属遮蔽层之间。
4.如权利要求3所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述开口露出部分高K介质层。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述消光层为氮化物层。
6.如权利要求5所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述消光层为氮氧化硅层、氮化硅层、氮化钛层或者氮化钽层。
7.如权利要求5所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述消光层的厚度为200埃~700埃。
8.如权利要求1至4中的任一项所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述消光层通过等离子体增强化学气相沉积工艺或者炉管工艺形成。
9.如权利要去1至4中的任一项所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述开口的侧壁与底壁之间的夹角大于90度且小于180度。
10.如权利要求1至4中的任一项所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述金属遮蔽层的顶面形成有消光层。
11.如权利要求1至4中的任一项所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述金属遮蔽层的材料为铝或者钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
