[发明专利]一种晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201210290638.4 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103594367A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 及其 形成 方法 | ||
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成栅极结构；
通过刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一凹槽；
对所述第一凹槽进行修复；
刻蚀所述第一凹槽形成第二凹槽。
2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽的形状为碗状。
3.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用快速热氧化工艺对所述第一凹槽进行修复，形成氧化层。
4.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用尖峰退火工艺对所述第一凹槽进行修复，形成氧化层。
5.如权利要求3或4任一项所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为1~30埃。
6.如权利要求5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成氧化层的温度为800~1100℃。
7.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，在氮气和氧气的混合气体氛围下进行修复。
8.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，在纯氧的氛围下进行修复。
9.如权利要求5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一凹槽形成第二凹槽的工艺包括如下步骤：
采用稀释的氢氟酸去除所述氧化层；
采用四甲基氢氧化铵刻蚀形成第二凹槽。
10.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽为sigema状。
11.如权利要求10所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成第二凹槽之后，还包括如下工艺：
在所述第二凹槽内形成硅锗层。
12.如权利要求11所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述硅锗层的工艺条件为：温度500~800℃，压强1~100Torr。
13.如权利要求12所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成硅锗层采用的气体为：SiH4、HCl、B2H6和H2。
14.如权利要求13所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述气体SiH4、HCl和B2H6的流量皆为1~1000sccm。
15.如权利要求13所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述H2的流量为0.1~50slm。
16.一种利用权利要求1至15中的任一项晶体管的形成方法制得的晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有栅极结构及第二凹槽。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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