[发明专利]开关电路有效

专利信息
申请号: 201210290398.8 申请日: 2012-08-15
公开(公告)号: CN103595383A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 李秋平 申请(专利权)人: 原景科技股份有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 开关电路
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种电子电路,且特别是有关于一种开关电路。

背景技术

电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的一部分。在各式各样的电子装置中,需要可应用在这些装置中的半导体组件。半导体组件的特性主要是由制备该组件的制程来决定。由于半导体组件通常较复杂,则其制程亦变化较多。半导体组件中需要多种具有不同特性的晶体管。

于一些半导体制造技术中,可制造出具有可承受高压的源极与漏极,而栅极仅能承受较小电压(如5伏特)的金属氧化物半导体晶体管。然而以此方式设计的金属氧化物半导体晶体管,于实际电路应用上存在许多限制,而有待进一步改进。

发明内容

本发明内容的一技术方面是关于一种开关电路。前述开关电路包含第一非对称金属氧化物半导体晶体管、第二非对称金属氧化物半导体晶体管、第一二极管串以及第二二极管串。前述第一非对称金属氧化物半导体晶体管包含第一端、第二端以及控制端,前述第一非对称金属氧化物半导体晶体管的前述第一端用以接收第一电位。前述第二非对称金属氧化物半导体晶体管包含第一端、第二端以及控制端,前述第二非对称金属氧化物半导体晶体管的前述第一端用以接收前述第一电位,前述第二非对称金属氧化物半导体晶体管的前述第二端与前述第一非对称金属氧化物半导体晶体管的前述第二端电性耦接于一第一公共端点。

此外,前述第一二极管串是由多个二极管串联而成,前述第一二极管串包含第一端以及第二端,前述第一二极管串的前述第一端电性耦接于前述第一非对称金属氧化物半导体晶体管的前述控制端,而前述第一二极管串的前述第二端电性耦接于前述第一公共端点。第二二极管串是由多个二极管串联而成,前述第二二极管串包含第一端以及第二端,前述第二二极管串的前述第一端电性耦接于前述第二非对称金属氧化物半导体晶体管的前述控制端,而前述第二二极管串的前述第二端电性耦接于前述第一公共端点。

根据本发明一实施例,开关电路还包含电流控制电路,其包含二输出端点,分别电性耦接于前述第一非对称金属氧化物半导体晶体管的前述控制端以及前述第二非对称金属氧化物半导体晶体管的前述控制端,并分别输出第一控制电流与第二控制电流至相应的前述控制端。

根据本发明另一实施例,前述电流控制电路的前述输出端点,在一特定时间内分别输出前述第一控制电流与前述第二控制电流至相应的前述控制端。

根据本发明再一实施例,前述特定时间小于约20奈秒。

根据本发明又一实施例,前述开关电路中前述电流控制电路包含电流镜、P型金属氧化物半导体晶体管以及峰值电流控制支路。前述电流镜包含第一电流支路、第二电流支路以及第三电流支路,前述第一电流支路、前述第二电流支路以及前述第三电流支路的一端电性耦接于一第二公共端点,前述第二公共端点用以接收一第二电位,而前述第二电流支路以及前述第三电流支路的另一端分别电性耦接于前述输出端点。前述P型金属氧化物半导体晶体管包含控制端以及第一端,前述控制端用以接收一参考电压,前述第一端电性耦接于前述电流镜的前述第一电流支路。

进一步而言,前述峰值电流控制支路包含电容、电阻及控制N型金属氧化物半导体晶体管。前述电容包含第一端,前述第一端用以接收开关信号。前述电阻包含第一端以及第二端,前述第一端电性耦接于前述电容的前述第二端,前述第二端用以接收一第三电位。前述控制N型金属氧化物半导体晶体管包含控制端以及第二端,前述控制端电性耦接于前述电容的前述第二端,前述第二端电性耦接于前述P型金属氧化物半导体晶体管的一第二端。

根据本发明另再一实施例,前述峰值电流控制支路的前述电阻会对前述电容的前述第二端进行放电。

根据本发明另又一实施例,前述第二电位为一正电位,而前述第三电位小于前述第二电位。

根据本发明再另一实施例,前述开关电路中前述电流控制电路包含电流镜、N型金属氧化物半导体晶体管以及峰值电流控制支路。前述电流镜包含第一电流支路、第二电流支路以及第三电流支路,前述第一电流支路、前述第二电流支路以及前述第三电流支路的一端电性耦接于第二公共端点,前述第二公共端点用以接收第二电位,而前述第二电流支路以及前述第三电流支路的另一端分别电性耦接于前述输出端点。前述N型金属氧化物半导体晶体管包含控制端以及第一端,前述控制端用以接收参考电压,前述第一端电性耦接于前述电流镜的前述第一电流支路。

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