[发明专利]替代双端口静态存储器的存储器结构

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，特别是涉及一种替代双端口静态存储器的存储器结构。

背景技术

随着半导体和电子技术的发展，单个芯片上要完成的功能越来越多，这就使得芯片电路的设计越来越复杂，片上存在着多个时钟域，跨时钟域设计成为了一个常态，大量的数据在不同时钟域之间传送，如何处理这些跨时钟域的批量数据也成为了一个关键问题。

目前通常的做法是使用一个双端口的静态存储器作为跨时钟域数据传送的中间存储器，双端口静态存储器可以工作在两个时钟域中，从而实现了数据在不同时钟域的转换。

但是，双端口静态存储器的面积要比相同存储容量单端口静态存储器面积大50％左右，因此在芯片面积，芯片成本上并不占优势。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种替代双端口静态存储器的存储器结构，使芯片的面积减小，降低芯片的成本。

为解决上述技术问题，本发明的替代双端口静态存储器的存储器结构：包括：多个单端口静态存储器和多个选择电路；

每个单端口静态存储器具有独立的时钟和总线信号以及独立的空满状态标志位；

所述选择电路具有第一访问端和第二访问端两个访问端，每个访问端分别输入各自的时钟和总线信号，该选择电路的输出端连接到所述单端口静态存储器；所述选择电路的控制信号包括数据流方向信号和单端口静态存储器的空满状态标志位输出信号。

所述选择电路在所述控制信号的控制下，用于切换单端口静态存储器的时钟和总线信号，根据数据流的方向和单端口静态存储器的空满状态将单端口静态存储器的时钟切换到相应访问端的工作时钟上。

本发明用多个单端口静态存储器代替双端口静态存储器，使得芯片设计在面积上有所改进，从而降低芯片成本。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是用多个单端口静态存储器代替双端口静态存储器的结构框图；

图2是每个单端口静态存储器的空满状态转换流程图。

具体实施方式

参见图1所示，假设原双端口静态存储器的容量是8K字节，在下面的实施例中，使用16个512字节的单端口静态存储器来替代这个双端口静态存储器。

所述单端口静态存储器为多个，每个单端口静态存储器都有独立的时钟和总线信号以及独立的空满状态标志位（即图1中的空满标志位）。每个单端口静态存储器的时钟和总线信号都来自于原双端口存储器的两个访问端（即第一访问端和第二访问端），两个访问端的时钟和总线信号分别输入到一选择电路，该选择电路的输出端连接到单端口静态存储器。所述选择电路的控制信号包括数据流方向信号和单端口静态存储器的空满状态标志位输出信号。

每个单端口静态存储器的空满状态标志位用于表示存储器当前的状态，每个状态位用一位寄存器来实现。当两个状态位（即空标志位和满标志位，下同）为10时，表示单端口静态存储器处于空状态，该单端口静态存储器中无有效数据，可以用于写操作；当两个状态位为01时，表示单端口静态存储器处于满状态，单端口静态存储器里有512字节的有效数据，可以用于读操作；当两个状态位为00时，表示单端口静态存储器处于不空不满状态，单端口静态存储器正在读或者写操作过程中；而两个状态位为11是个无效状态，不会出现。

每个单端口静态存储器的空满状态的转换如图2所示，上电或者复位后，所述单端口静态存储器处于空状态，此时单端口静态存储器可以写入数据，写入数据后，单端口静态存储器将进入不空不满状态，而当所有512字节的数据写入后，单端口静态存储器会进入满状态。当单端口静态存储器处于满状态时，访问端可以从单端口静态存储器读出数据，并且单端口静态存储器也将再次进入不空不满状态，当所有512字节数据读出后，单端口静态存储器进入空状态，此时单端口静态存储器又可以开始接收数据，如此依次循环下去。

所述选择电路根据数据流的方向以及单端口静态存储器的空满状态选择相应访问端的工作时钟和总线信号。假设数据流的方向是从第一访问端到第二访问端，如果单端口静态存储器处于空状态，单端口静态存储器处于可写入状态，此时单端口静态存储器须分配给数据流的来源端使用，选择电路将选择第一访问端的时钟和总线信号输入到单端口静态存储器。如果单端口静态存储器处于满状态，数据处于可读取的状态，此时单端口静态存储器要分配给数据流的目的端使用，选择电路将选择第二访问端的时钟和总线信号连接到单端口静态存储器。另外，如果单端口静态存储器处于不空不满状态，单端口静态存储器正在工作，处于忙碌状态，选择电路将保持原有的选择状态，不做任何改变。