[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法无效
| 申请号： | 201210288719.0 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594413A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：
a）提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成用于填充STI氧化物的沟槽；
b）在所述沟槽的底面和侧壁上形成硅材料层；
c）在所述硅材料层中掺杂氧；以及
d）在氧氛围下执行退火工艺，以使硅材料层转变为所述STI氧化物填充在所述沟槽内。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述a）步骤包括：
在所述半导体衬底上依次形成氧化物层、氮化物层和具有图案的光刻胶层；
依次对所述氮化物层、所述氧化物层和所述半导体衬底进行刻蚀，以形成所述沟槽。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅材料层的材料为多晶硅。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅材料层的厚度为所述沟槽的宽度的0.1-0.5倍。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步骤是通过执行氧气的离子注入工艺实现的。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述离子注入工艺所采用的注入能量为0.5keV至40keV。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述离子注入工艺所采用的注入剂量为1×105cm-2至5×1018cm-2。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺中退火温度为800℃至1100℃。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺中退火时间为10秒至2小时。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺中通入的气体包括氧气/水蒸气和氮气。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述氧气/水蒸气的流量小于50sccm，所述氮气的流量为10sccm-100sccm。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述b）步骤之前，在所述沟槽的底面和侧壁上形成衬垫氧化物层。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比大于8:1。
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