[发明专利]一种用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法无效
| 申请号： | 201210288541.X | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102800606A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 杨恒;豆传国;吴燕红;李昕欣;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 圆片级 封装 应力 测量 传感器 转移 方法 | ||
1.一种用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）SOI硅片的顶层硅上制作应力传感器；
（2）利用有机胶膜将应力传感器面对面地贴装到与待封装圆片相同尺寸的测试圆片上；
（3）腐蚀去除应力传感器衬底硅，将应力传感器芯片单元转移到测试圆片上。
2.根据权利要求1所述的用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，其特征在于，所述步骤（1）还包括以下子步骤：
（11）通过反应离子刻蚀技术在顶层硅刻蚀，并在顶层硅上制成应力传感单元；
（12）通过光刻腐蚀工艺在埋层二氧化硅上制作出引线窗口；
（13）通过溅射的方式沉积一层薄膜层并采用光刻加工工艺和腐蚀技术形成金属引线。
3.根据权利要求1所述的用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，其特征在于，所述步骤（2）中有机胶膜采用机械旋转涂胶或者干膜贴合的方法制作在应力传感器硅片上，所述有机胶膜的厚度小于10微米。
4.根据权利要求1所述的用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，其特征在于，所述步骤（2）中应力传感器芯片采用芯片到圆片键合的方法面对面地贴装到与待封装圆片相同尺寸的测试圆片上。
5.根据权利要求2所述的用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，其特征在于，所述步骤（3）中采用干法腐蚀工艺去除应力传感器的衬底硅，其中，对集成电路钝化层和金属层的腐蚀速率远低于对硅的腐蚀速率。
6.根据权利要求3所述的用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，其特征在于，所述有机胶膜为BCB胶膜、聚酰亚胺胶膜、PerMX干膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
