[发明专利]镧铈掺杂制备低成本烧结钕铁硼的方法

权利要求书

1.镧铈掺杂制备低成本烧结钕铁硼的方法，其具体步骤为：

1)利用速凝甩片真空感应熔炼炉，将准备好的钕铁硼材料在氩气保护下，在1400~1600℃温度下熔炼，熔化的钢液浇铸到旋转的冷却铜棍上，制备出0.3~0.5mm厚度的钕铁硼合金薄片；

2）利用氢破炉，在0.1MPa氢气压下吸氢，550℃温度下脱氢，将钕铁硼合金薄片破碎成110~150μm左右的钕铁硼合金粉末；

3）将步骤2）得到的粉末进一步经过气流磨破碎成3.5~4.5μm的钕铁硼合金粉末；

4）将4~8μm的镧铈合金粉末加入到步骤3）得到的粉末中，利用三维混料机混粉3小时，保证两种粉末均匀混合；

5）利用磁场压机，将步骤4）中混合均匀的粉末在1.7T的磁场下取向成型，再经过冷等静压，压力为200MPa，得到密度为4.6~4.8g/cm³的压坯；

6）将压坯置于真空烧结炉中，在1070~1100℃烧结保温3~4小时，在850~950℃一级回火保温2~3小时，在500~600℃二级回火保温3~4小时，最终获得烧结磁体，钕铁硼成分为(PrNdGd)_2936~29.65 (LaCe)_0.99~1.96（FeCoAlCu）_67.63~68.3B_1.05~10.6。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征是：步骤1）中的钕铁硼材料的成份为(PrNdGd)_29.95（FeCoAlCu）_68.98B_1.07。

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征是：步骤4）中镧铈合金粉末中镧铈重量比为64~66:36~34，镧铈合金粉末的添加比例为钕铁硼合金粉末重量的1~2%。

4.根据权利要求1或3所述的工艺，其特征是：步骤4）中镧铈合金粉末的纯度＞99.5%。