[发明专利]在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备

权利要求书

1.一种在工件中注入离子的方法，包括以下步骤：

产生离子束；

将离子束调节到平面中的所需的平行度；

测定所述平面中的所调节的离子束的离子束方向；

绕垂直于所述平面的轴线将工件倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度；以及

对倾斜到注入角度的工件实施注入。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，调节离子束的步骤包括将离子束的离子轨迹调节到基本上是平行的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，离子束方向与工件倾斜前工件的法线方向相差一离子束角度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，倾斜工件的步骤包括将半导体晶片倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，注入角度为零度，工件被倾斜为垂直于所测定的离子束方向。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括测定离子束不平行角度的步骤，其中调节离子束的步骤是以离子束的不平行角度的测定为基础的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，离子束的离子束方向和不平行角度是通过可移动的离子束成型器和一个或多个离子束检测器来测定的。

8.一种在工件中注入离子的方法，包括步骤：

产生离子束；

测定平面中的离子束的平行度；

根据测定的平行度调节所述平面中的离子束到所需的平行度；

测定所述平面中的所调节的离子束的离子束方向；

绕垂直于所述平面的轴线将工件倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度；以及

对倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度的工件实施注入。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，调节离子束的步骤包括将离子束的离子轨迹调节到基本上是平行的。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，注入角度为零度，且工件垂直于所测定的离子束方向。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，离子束方向和不平行角度是通过可移动的离子束成型器和一个或多个离子束检测器来测定的。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，倾斜工件的步骤包括倾斜半导体晶片。

13.一种在工件中注入离子的设备，包括：

产生离子束的装置；

测定平面中的离子束的平行度的装置；

根据测定的平行度调节所述平面中的离子束到所需的平行度的装置；

测定所述平面中的所调节的离子束的离子束方向的装置；

绕垂直于所述平面的轴线将工件倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度的装置；以及

对倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度的工件实施注入的装置。

14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述的调节离子束的装置包括将离子束的离子轨迹调节到基本上平行的装置。

15.根据权利要求13所述的设备，其中，测定离子束平行度的装置和测定离子束方向的装置包括可移动离子束成型器和一个或多个离子束检测器。

16.根据权利要求13所述的设备，其中，倾斜工件的装置包括相对于离子束倾斜半导体晶片的倾斜机构。

17.一种在工件中注入离子的设备，包括：

离子束发生器；

调节离子束到平面中的所需的平行度的离子光学元件；

测定所述平面中的所调节的离子束的离子束方向的测定系统；以及

绕垂直于所述平面的轴线将工件倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度的倾斜机构，其中

对倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度的工件实施注入。

18.根据权利要求17所述的设备，其中，所述的离子光学元件包括将离子束的离子轨迹调节到基本上平行的角度校正器磁铁。

19.根据权利要求17所述的设备，其中，所述的测定系统包括可移动离子束成型器和一个或多个离子束检测器。

20.根据权利要求17所述的设备，其中，所述的倾斜机构被配置用来倾斜半导体晶片。