[发明专利]一种半导体器件的电可编程熔丝结构有效
| 申请号： | 201210287397.8 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594450A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈建奇;何学缅;吴永玉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 可编程 结构 | ||
1.一种半导体器件的电可编程熔丝结构，包括：
熔丝元件；
与所述熔丝元件互连的第一端部和第二端部；
所述第一端部和所述第二端部与所述熔丝元件的连接部位呈三角形状，且连接部位处所述第一端部和第二端部边缘与所述熔丝元件的边缘形成的钝角为135°，其中所述第一端部和第二端部上各具有四个矩形接触孔，形成2×2的接触阵列，用于电连接。
2.根据权利要求1所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件包括：
绝缘层，位于半导体衬底上；
栅氧化层，位于所述绝缘层上；
多晶硅层，位于所述栅氧化层上；
硅化物层，位于所述多晶硅层上；
氮化物覆层，位于所述硅化物层上。
3.根据权利要求2所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述绝缘层为氧化物层。
4.根据权利要求2所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述硅化物层为硅化钴层。
5.根据权利要求2所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述多晶硅层为P型掺杂或N型掺杂。
6.根据权利要求1所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件中用于连接所述第一端部和所述第二端部的区域的宽度为60-100nm。
7.根据权利要求6所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述熔丝元件中用于连接所述第一端部和所述第二端部的区域的长度是所述宽度的4-10倍。
8.根据权利要求1所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述第一端部为阴极或阳极，所述第二端部对应的为阳极或者阴极。
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