[发明专利]一种倒置三结太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种倒置三结太阳能电池，包括第一欧姆接触层，其特征在于：在第一欧姆接触层的上面依次连接有第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池、第二欧姆接触层，第一子电池、第二子电池、第三子电池的晶格常数相同，第一子电池具有第一带隙，第二子电池具有第二带隙，且其值小于第一带隙，第三子电池具有第三带隙，且其值小于第二带隙。

2.根据权利要求1所述的一种倒置三结太阳能电池，其特征在于：所述的第一子电池、第二子电池、第三子电池的晶格常数为0.57～0.59 nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种倒置三结太阳能电池，其特征在于：所述的第一子电池带隙为1.7～1.9 eV，所述的第一子电池由In_xAl_zGa_1-x-zP构成，其中0.50＜x≤0.95，0＜z≤0.50。

4.根据权利要求1或2所述的一种倒置三结太阳能电池，其特征在于：所述的第二子电池带隙为1.2～1.4eV，所述的第二子电池由In_xGa_1-xAs_zP_1-z构成，其中0.50＜x≤0.95，0＜z≤0.50。

5.根据权利要求1或2所述的一种倒置三结太阳能电池，其特征在于：所述的第三子电池带隙为0.9～1.1eV，所述的第三子电池由In_xGa_1-xAs构成，其中0.20＜x≤0.50。

6.一种权利要求1至5任一项所述倒置三结太阳能电池的生产方法，其包括以下步骤：

步骤一、提供一临时生长模板；

步骤二、在临时生长模板上沉积应力完全弛豫的由In_yGa_1-yAs 构成的缓冲层，其中0＜y≤1；

步骤三、在所述缓冲层上面生长第一欧姆接触层； 

步骤四、在第一欧姆接触层上面生长第一子电池；

步骤五、在第一子电池上面生长第一隧穿结；

步骤六、在第一隧穿结上面生长第二子电池；

步骤七、在第二子电池上面生长第二隧穿结；

步骤八、在第二隧穿结上面生长第三子电池；

步骤九、在第三子电池上面生长第二欧姆接触层；

步骤十、在第二欧姆接触层的上面键合一刚性硅片，然后把所述的临时生长模板和缓冲层剥离第一欧姆接触层。

7.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于：步骤二所沉积缓冲层的平均晶格常数与第一子电池、第二子电池、第三子电池的晶格常数相同。

8.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于：步骤二所沉积缓冲层的生长厚度控制为50-5000 nm，表面位错密度低于10⁶cm^-3。

9.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于：所述使用的临时生长模板为GaAs。

10.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于：步骤三在所述缓冲层上面生长第一欧姆接触层之前生长一剥离截止层，然后在剥离截止层上面再生长第一欧姆接触层，到最后步骤通过剥离截止层把临时生长模板和缓冲层从第一欧姆接触层下面剥离。