[发明专利]晶闸管及晶闸管封装件无效
| 申请号: | 201210286393.8 | 申请日: | 2012-08-13 |
| 公开(公告)号: | CN103594490A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
| 发明(设计)人: | 黄勤 | 申请(专利权)人: | 无锡维赛半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/744;H03K17/56 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
| 地址: | 214028 江苏省无锡市无锡国家高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶闸管 封装 | ||
1.一种PNPN型晶闸管,其特征在于,所PNPN型晶闸管至少包括:
由P型、N型、P型及N型半导体层构成的层叠结构,其中,在与作为阴极的N型半导体层接触的P型半导体层中相对于该作为阴极的N型半导体层的区域具有第一开口。
2.根据权利要求1所述的PNPN型晶闸管,其特征在于:所述第一开口正对于作为阴极的N型半导体层。
3.一种NPNP型晶闸管,其特征在于,所NPNP型晶闸管至少包括:
由N型、P型、N型及P型半导体层构成的层叠结构,其中,在与作为阳极的P型半导体层接触的N型半导体层中相对于该作为阳极的P型半导体层的区域具有第二开口。
4.根据权利要求3所述的NPNP型晶闸管,其特征在于:所述第二开口正对于作为阳极的P型半导体层。
5.一种无需驱动电流的晶闸管,其特征在于,所述无需驱动电流的晶闸管至少包括:
晶闸管本体及受控开关单元;其中,当所述晶闸管本体为PNPN型时,所述受控开关单元连接所述PNPN型的晶闸管本体的门极及阴极;当所述晶闸管本体为NPNP型时,所述受控开关单元连接所述NPNP型的晶闸管本体的门极及阳极。
6.根据权利要求5所述的无需驱动电流的晶闸管,其特征在于:所述晶闸管本体包括:权利要求1至4中任一项所述的晶闸管。
7.根据权利要求5或6所述的无需驱动电流的晶闸管,其特征在于:所述受控开关单元包括作为受控开关的第一晶体管。
8.根据权利要求7所述的无需驱动电流的晶闸管,其特征在于:所述第一晶体管包括多个并联的子晶体管。
9.根据权利要求5或6所述的无需驱动电流的晶闸管,其特征在于:所述受控开关单元包括作为受控开关的第二晶体管及与所述第二晶体管连接且能使所述晶闸管本体在导通时门极处于浮空态的浮空器件。
10.根据权利要求9所述的无需驱动电流的晶闸管,其特征在于:所述浮空器件包括单个或多个并联二极管。
11.根据权利要求9所述的无需驱动电流的晶闸管,其特征在于:所述浮空器件包括单个或多个并联的电容。
12.根据权利要求9所述的无需驱动电流的晶闸管,其特征在于:所述浮空器件包括单个或多个并联的第三晶体管。
13.根据权利要求9所述的无需驱动电流的晶闸管,其特征在于:所述第二晶体管包括多个并联的子晶体管。
14.一种晶闸管封装件,其特征在于:所述晶闸管封装件至少包括:
形成在半导体衬底材料上的权利要求5至13中任一项所述的无需驱动电流的晶闸管;
将所形成的无需驱动电流的晶闸管予以封装的壳体及外露于所述壳体且与所述无需驱动电流的晶闸管连接的门极引脚、阴极引脚及阳极引脚。
15.根据权利要求14所述的晶闸管封装件,其特征在于,在所述壳体内还包括:与晶闸管本体的阴极电气连接的第二导电层、与所述无需驱动电流的晶闸管的阴极电气连接的第一导电层及隔离所述第一导电层与第二导电层的绝缘层。
16.根据权利要求15所述的晶闸管封装件,其特征在于,在所述壳体内还包括:将所述第一导电层、第二导电层、绝缘层及所述半导体层叠结构予以夹设的第三导电层及第四导电层。其中第四导电层和所述无需驱动电流的晶闸管的阳极电气连接,第三导电层和所述第二导电层电气连接。
17.根据权利要求16所述的晶闸管封装件,其特征在于:所述壳体与所述第三导电层及第四导电层接触处均为导电材质、其余部分为陶瓷材质。
18.根据权利要求14至17任一项所述的晶闸管封装件,其特征在于:所述壳体呈圆形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡维赛半导体有限公司,未经无锡维赛半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210286393.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





