[发明专利]一种低噪声温度补偿晶体振荡器无效
| 申请号： | 201210285916.7 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102761330A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 张涛;张献中;陈坤;柯志强;张哲宇 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H03L1/02 | 分类号： | H03L1/02 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 温度 补偿 晶体振荡器 | ||
1.一种低噪声温度补偿晶体振荡器，其特征在于所述低噪声温度补偿晶体振荡器包括晶体振荡器（1）、振荡器电源（2）、一级稳压降噪电路（3）、二级稳压降噪电路（4）和温度补偿电路（5）；
晶体振荡器（1）的供电输入端X1与振荡器电源（2）的输出端Vb连接，晶体振荡器（1）的输入端Z1与温度补偿电路（5）的输出端Y2连接，温度补偿电路（5）的输入端X2与二级稳压降噪电路（4）的输出端Vc连接，二级稳压降噪电路（4）的输入端Vd与一级稳压降噪电路（3）的输出端Ve连接。
2.根据权利要求1所述的低噪声温度补偿晶体振荡器，其特征在于所述的振荡器电源（2）由第一运算放大器A1、第一PMOS管T1、恒流源I、第一二极管D1和第二二极管D2组成；第一运算放大器A1的输出端与第一PMOS管T1的栅极连接，第一PMOS管T1的漏极分别与第一二极管D1的阳极和第一运算放大器A1的正（+）输入端连接，第一运算放大器A1的负（-）输入端接1.25V基准电压，第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阳极连接，第二二极管D2的阴极与恒流源I的一端连接，恒流源另一端接地，第一PMOS管T1的源极接电源Vdd，第一PMOS管T1的漏极与振荡器电源（2）的输出端Vb连接；振荡器电源（2）的输出端Vb与晶体振荡器（1）的供电输入端X1连接。
3.根据权利要求1所述的低噪声温度补偿晶体振荡器，其特征在于所述的一级稳压降噪电路（3）的连接方式为：第三运算放大器A3的正（+）端接1.25V的基准电压，第三运算放大器A3的负（-）端与第三运算放大器A3的输出端连接，第三运算放大器A3的输出端与一级稳压降噪电路（3）的输出端Ve连接，一级稳压降噪电路（3）的输出端Ve与二级稳压降噪电路（4）的输入端Vd连接。
4.根据权利要求1所述的低噪声温度补偿晶体振荡器，其特征在于所述的二级稳压降噪电路（4）由第二运算放大器A2、第二PMOS管T2和电阻R组成；第二运算放大器A2的输出端与第二PMOS管T2的栅极连接，第二PMOS管T2的源极接电源Vdd，第二PMOS管T2的漏极分别与电阻R的一端和第二运算放大器A2的正（+）输入端连接，电阻R的另一端接地，第二PMOS管T2的漏极接二级稳压降噪电路（4）的输出端Vc，第二运算放大器A2的负（-）输入端与二级稳压降噪电路（4）的输入端Vd连接，二级稳压降噪电路（4）的输出端Vc与温度补偿电路（5）的输入端口X2连接。
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