[发明专利]一种大功率LED支架及大功率LED封装结构

权利要求书

1.一种大功率LED支架，包括导电脚以及包裹所述导电脚的基座，所述基座的顶部形成一凹腔，所述凹腔底部固设一热沉，其特征在于：所述基座为耐高温材料制作，所述的耐高温材料主要是液晶高分子聚合物，且含有多个填料颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述基座为白色基座。

3.根据权利要求2所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述基座高度为0.8mm~1.5mm，所述热沉高度为0.1mm~0.5mm。

4.根据权利要求3所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述液晶高分子聚合物包括了以下化学基团：对羟基苯甲酸、联苯二酚、酸酐、对苯二甲酸、4，4-苯甲酸、2，6-萘二甲酸、6-乙酰氧基-2-萘甲酸。

5.根据权利要求4所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述耐高温材料含有15%~55%的填料。

6.根据权利要求5所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述填料包括纳米TiO₂、被ZnO包覆的TiO₂、CeO₂、CaCO₃和玻璃。

7.根据权利要求6所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述纳米TiO₂以及被ZnO包覆的TiO₂在耐高温材料中的含量为12%~23%。

8.根据权利要求6所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述ZnO在耐高温材料中的含量小于0.8%。

9.根据权利要求6所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述纳米TiO₂的晶体结构为金红石。

10.根据权利要求6所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述被ZnO包覆的TiO₂的晶体结构为锐钛矿，外层ZnO颗粒大小为0.1nm~0.4nm，被ZnO包覆的TiO₂颗粒大小小于80nm。

11.根据权利要求9所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述金红石纳米TiO₂颗粒掺杂有亚铁离子或者是经过氨基硅烷偶联剂改性处理。

12.根据权利要求3所述的一种大功率LED支架，其特征在于：所述凹腔的底部和侧面有一层光反射薄膜。

13.一种采用如权利要求1到12任一项所述的大功率LED支架的大功率LED封装结构，其特征在于：LED芯片固定在热沉上，所述LED芯片与所述导电脚电连接，所述LED芯片被封装胶体覆盖，所述封装胶体填充在所述凹腔内将LED芯片覆盖。

14.根据权利要求13所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于：所述封装胶体为荧光胶体。

15.根据权利要求14所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于：所述导电脚是一立方体，所述导电脚的上端部为焊线区，所述导电脚的底面与热沉的底面以及基座的底面平齐，所述导电脚正对热沉的外侧面与基座的侧面平齐，所述导电脚与热沉之间预留有绝缘间隙。

16.根据权利要求14所述的一种大功率LED封装结构,其特征在于：所述导电脚包括焊盘以及沿焊盘向下折弯的延展部，所述延展部穿过基座的底部端面并在基座的底部端面形成一折边，所述折边的底面与热沉的底面以及基座的底面平齐，所述焊盘与热沉之间预留有绝缘间隙。