[发明专利]稀土类各向异性磁粉的制备方法以及磁粉和磁体

权利要求书

1.一种稀土类各向异性磁粉的制备方法，包括制备稀土母合金的工序以及对该稀土母合金进行HDDR处理的工序；其特征在于，所述对该稀土母合金进行HDDR处理的工序包括以下步骤：

低温氢化的步骤：将稀土母合金置于氢分压为0.05～0.3MPa的氢环境中，并在25℃～600℃保持0.5～3小时，从而完成低温氢化的步骤；

高温吸氢-歧化的步骤：在低温氢化的步骤完成后，对氢环境中的稀土母合金加热升温，升温期间将氢分压调整并维持在10～30kPa；当稀土母合金的温度达到760℃～860℃时，以每分钟0.1～1.0kPa的速率使氢分压持续增压1～2小时；当稀土母合金吸氢饱和后，将氢分压调整为100kPa，然后维持1～2小时，从而完成高温吸氢-歧化的步骤；

缓慢脱氢-再复合的步骤：高温吸氢-歧化的步骤完成后，将稀土母合金的温度控制在760℃～860℃的范围内，并将该氢环境中的氢分压调整为5～10kPa，然后以每分钟0.1～0.5kPa的速率对氢分压持续降压0.5小时，从而完成缓慢脱氢-再复合的步骤；

快速彻底脱氢的步骤：缓慢脱氢-再复合工序完成后，将稀土母合金的温度控制在760℃～860℃的范围内，并迅速将氢环境中的稀土母合金所受到的氢分压调整到不超过1.0Pa，然后迅速冷却至50℃以下，从而完成快速彻底脱氢的步骤，即完成HDDR处理的工序。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对该稀土母合金进行HDDR处理的工序之前，该制备方法还包括以下步骤：

均匀化热处理的步骤：将制备好的稀土母合金置于真空或者惰性气体中，并在1050℃～1160℃的温度范围内保温10～40小时，从而完成均匀化热处理的步骤；

粗碎的步骤：在均匀化热处理的步骤完成后，将经过均匀化热处理的稀土母合金置于真空或者惰性气体的保护下，破碎成1～10毫米的稀土母合金粗碎颗粒；

在对该稀土母合金进行HDDR处理的工序中，对稀土母合金粗碎颗粒进行HDDR处理。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在完成对该稀土母合金进行HDDR处理的工序之后，该制备方法还包括以下步骤：

细碎的步骤：将经过HDDR处理后的稀土母合金在真空或者惰性气体中进行细碎，直至其粒度不大于180微米，即可制得高品质的稀土类各向异性磁粉。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在细碎的步骤中，将经过HDDR处理后的稀土母合金粉碎成粒度为45～150微米的稀土类各向异性磁粉。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在低温氢化的步骤中，将稀土母合金置于氢分压为0.1～0.2MPa的氢环境中，并在200℃～300℃下保持1～2小时，从而完成低温氢化的步骤。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在稀土母合金进行低温氢化的过程中，连续翻转搅拌稀土母合金，或者按照一定的时间间隔翻转搅拌稀土母合金，或者随机翻转搅拌稀土母合金。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在低温氢化的步骤完成后，将稀土母合金的温度冷却至50℃以下，再进行高温吸氢-歧化的步骤；

和/或，

在缓慢脱氢-再复合的步骤完成后，将稀土母合金的温度冷却至50℃以下，再进行快速彻底脱氢的步骤。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备稀土母合金的工序包括以下步骤：

配备原料的步骤：按照分子式Nd_xFe_1-x-y-z-vCo_yB_zM_v配备原料；

其中，Nd为钕元素，Fe为铁元素，Co为钴元素，B为硼元素，M为镓元素、铌元素、锆元素、铜元素、铝元素、钒元素、钛元素、钼元素、硅元素、锰元素中的至少一种；所述的x、y、z、v分别表示Nd、Co、B、M占总体的重量百分数，它们分别满足如下条件：27.0wt％≤x≤30.0wt％，0wt％≤y≤6.0wt％，0.95wt％≤z≤1.05wt％，0.1wt％≤v≤1.0wt％；除了Nd、Co、B、M外，余量均为Fe；

熔炼合金的步骤：将配备好的各原料熔炼成稀土母合金。