[发明专利]一种四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅制备技术领域，更具体地，本发明涉及一种四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法。

背景技术

多晶硅生产过程中产生的大量的副产物四氯化硅，直接排放会严重污染环境。如何安全处理四氯化硅已成为制约多晶硅行业发展的“瓶颈”。目前，四氯化硅冷氢化技术解决了多晶硅副产物的问题。

四氯化硅冷氢化技术是在一定的温度、压力下，四氯化硅、氢气以及硅粉和粉末状触媒加入反应器中，将四氯化硅转化为多晶硅生产的原料三氯氢硅，实现了物料的循环利用。由于冷氢化技术运行压力较高，一般在2.0-3.5MPa下运行，而固体物料硅粉及触媒需要从低压装置中加入到高压运行的反应器中，压差较大，而且在高温高压、易燃易爆的工况下，使得该固体物料加入反应器非常困难。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。

为此，本发明的一个目的在于提出一种实施简单、供料方便、安全性高的四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法。

根据本发明实施例的四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法，所述固体原料包括硅粉和催化剂，包括以下步骤：a）将所述硅粉与所述催化剂进行混合，得到常压混合物料；b）将所述常压混合物料提供至计量罐内以计量预定量的常压混合物料，并通过气压调节装置对所述计量罐内的常压混合物料进行加压，使其压力大于等于四氯化硅氢化反应器内的压力，得到加压的混合物料；c）将所述加压的混合物料加入四氯化硅氢化反应器中进行反应；d）通过所述气压调节装置调节所述计量罐内的气压以使所述计量罐内的气压小于等于常压以接收所述常压混合物料，从而实现连续供料。

根据本发明实施例的四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法，通过对固体原料进行加压，将固体原料从气压较低的储料罐输送至气压较高的四氯化硅氢化反应器中，实现连续供料，从而实现氢化反应的连续稳定运行，该方法操作简单，供料效果好，且安全性高。

另外，根据本发明上述实施例的四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法，还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的一个实施例，通过所述气压调节装置向所述计量罐内通入高压气体以增加所述计量罐中的气压。

根据本发明的一个实施例，所述高压气体为高压氢气。

根据本发明的一个实施例，通过所述气体调节装置排出所述计量罐中的气体以降低所述计量罐中的气压。

根据本发明的一个实施例，所述常压混合物料通过重力作用提供给所述计量罐。

根据本发明的一个实施例，所述计量罐位于所述四氯化硅氢化反应器的上方。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明实施例的四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法流程示意图；

图2是根据本发明实施例的四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法中所用的四氯化硅氢化反应设备结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。