[发明专利]铜溅射靶材料和溅射法无效
| 申请号： | 201210284852.9 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102816996A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 外木达也;辰巳宪之;井坂功一;本谷胜利;小田仓正美 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于TFT的铜膜，其特征在于，具有由铜材构成的溅射面，所述溅射面具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，
所述一个晶体取向面为（111）面，所述其它晶体取向面包括（200）面、（220）面和（311）面，
所述用于TFT的铜膜是使用相对于所述（111）面、所述（200）面、所述（220）面和所述（311）面的总和，所述（111）面的占有率为15%以上的铜溅射靶材料而形成的拉伸残留应力为120N/mm2以下的铜膜。
2.根据权利要求1所述的用于TFT的铜膜，其中，所述用于TFT的铜膜是使用所述（111）面的占有率为15%以上的铜溅射靶材料而形成的拉伸残留应力为120N/mm2以下、且不具有气孔的用于TFT的铜膜。
3.根据权利要求1所述的用于TFT的铜膜，其中，所述用于TFT的铜膜是，使用所述（111）面的占有率为25%以上的铜溅射靶材料而形成的拉伸残留应力为120N/mm2以下、且不具有气孔的用于TFT的铜膜。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的用于TFT的铜膜，其中，所述用于TFT的铜膜是使用所述铜材为含铜和不可避免的杂质的无氧铜、或铜合金的铜溅射靶材料而形成的。
5.根据权利要求4所述的用于TFT的铜膜，其中，所述用于TFT的铜膜是使用所述无氧铜或所述铜合金中氧含量为5ppm以下的铜溅射靶材料而形成的。
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