[发明专利]具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法

权利要求书

1.一种阻变存储器器件，其特征在于，该阻变存储器器件在低阻态时具有整流特性，包括：

下电极；

上电极；以及

包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述下电极采用n型低阻硅材料。

3.根据权利要求2所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述构成下电极的n型低阻硅材料的电阻率小于0.1Ω.cm。

4.根据权利要求1所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述上电极采用Cu、Ni或Ag材料。

5.根据权利要求1所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述阻变存储层采用SiO₂材料，该SiO₂材料是由n型硅经过热氧化生成的。

6.根据权利要求5所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述构成阻变存储层的SiO₂材料的厚度为2nm至50nm。

7.一种制作权利要求1至6中任一项所述的阻变存储器器件的方法，其特征在于，包括：

提供n型低阻硅作为下电极；

对所述下电极的表面进行热氧化形成SiO₂阻变存储层；以及

在所述阻变存储层上通过电子束蒸发或溅射形成上电极。

8.根据权利要求7所述的制作阻变存储器器件的方法，其特征在于，所述提供n型低阻硅作为下电极的步骤中，所述下电极采用n型低阻硅材料，该n型低阻硅材料的电阻率小于0.1Ω.cm。

9.根据权利要求7所述的制作阻变存储器器件的方法，其特征在于，所述对下电极的表面进行热氧化形成SiO₂阻变存储层的步骤中，是通过热氧化的方法对n型硅下电极的表面进行热氧化生成SiO₂材料，并由该SiO₂材料作为SiO₂阻变存储层，该SiO₂阻变存储层的厚度为2nm至50nm。

10.根据权利要求7所述的制作阻变存储器器件的方法，其特征在于，所述在所述阻变存储层上通过电子束蒸发或溅射形成上电极的步骤中，是在所述阻变存储层上通过电子束蒸发或溅射导电材料Cu、Ni或Ag形成上电极。