[发明专利]BST薄膜经时击穿的调控方法无效
| 申请号： | 201210284424.6 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102820420A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吴传贵;蔡光强;罗文博;彭强祥;孙翔宇;柯淋;张万里;王小川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L37/02 | 分类号： | H01L37/02 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bst 薄膜 击穿 调控 方法 | ||
【权利要求书】：
1.BST薄膜经时击穿的调控方法，其特征在于，包括下述步骤：
A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地；
B、对另一个输入电极施加方波偏压。
2.如权利要求1所述的BST薄膜经时击穿的调控方法，其特征在于，所述步骤B中，施加的偏压为对称方波。
3.如权利要求1所述的BST薄膜经时击穿的调控方法，其特征在于，所述方波的幅值为±0.5~20V，周期为10~1000s，占空比为30~80％。
4.如权利要求1所述的BST薄膜经时击穿的调控方法，其特征在于，所述方波的幅值为±6V，周期为200s，占空比为50％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210284424.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有五防联锁装置的开关柜
- 下一篇：一种动画素材组织和应用的方法
