[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅极，形成在基板上；

平整绝缘层，形成在所述栅极的侧面部分和所述基板的上部；

栅绝缘层，形成在包含所述栅极的上部的所述平整绝缘层上；

有源层，形成在位于所述栅极的上侧的所述平整绝缘层的上部；以及

源极和漏极，形成在所述有源层上，并基于沟道区彼此分开。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述平整绝缘层具有比所述栅极低的阶梯高度，所述阶梯高度的厚度是所述栅极的厚度的1-15%。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述平整绝缘层具有在200℃-500℃的温度时属性和状态不改变的高温特性，并用有机材料、无机材料、有机-无机化合物和有机-无机混合物中的任何一种来形成所述平整绝缘层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述平整绝缘层具有负光刻胶的特性。

5.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上形成栅极；

在所述栅极的侧面部分和所述基板的上部形成平整绝缘层；

在包含所述栅极的上部的所述平整绝缘层上形成栅绝缘层；

在位于所述栅极的上侧的平整绝缘层的上部形成有源层；以及

在所述有源层上形成基于沟道区彼此分开的源极和漏极。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述在所述栅极的侧面部分和所述基板的上部形成平整绝缘层的步骤还包括：

在所述基板的背面利用所述栅极作为掩模来执行所述平整绝缘层的背曝光；以及

显影和固化平整绝缘层，以去除所述平整绝缘层的在所述栅极的上面形成的未曝光的部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述平整绝缘层具有负光刻胶的特性。

8.如权利要求5所述的方法，其中，所述平整绝缘层具有在200℃-500℃的温度时属性和状态不改变的高温特性，并用有机材料、无机材料、有机-无机化合物和有机-无机混合物中的任何一种来形成所述平整绝缘层。

9.如权利要求6所述的方法，其中，在去除所述平整绝缘层的一部分的步骤之后还添加灰化步骤，以使所述平整绝缘层形成比所述栅极低的阶梯高度，所述阶梯高度的厚度为所述栅极厚度的1-15%。

10.一种具有薄膜晶体管的液晶显示器，所述液晶显示器包括：

选通线、数据线和局部公共电压线，所述选通线、数据线和局部公共电压线被形成为在基板上彼此垂直和水平交叉，以定义多个像素；

平整绝缘层，形成在所述基板的所述选通线和所述数据线彼此交叉的部分，并且形成在包含从选通线延伸的栅极的基板上以及所述选通线、所述栅极和所述局部公共电压线的侧面；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管由栅绝缘层、有源层以及源极和漏极形成，所述栅绝缘层形成在包含所述栅极的上部的所述平整绝缘层上，所述有源层形成在局部公共电压线和所述栅极的上部的所述栅绝缘层上，所述源极和漏极形成在所述有源层上，并基于沟道区彼此分开；

钝化层和绝缘层，形成在所述基板的包含所述源极和所述漏极的整个表面上，露出所述漏极；以及

电连接到所述漏极的像素电极和电连接到所述局部公共电压线的公共电极，所述像素电极和所述公共电极彼此分开地被形成，并在所述绝缘层上被分枝成多个。

11.如权利要求10所述的具有薄膜晶体管的液晶显示器，其中，所述平整绝缘层具有比所述栅极低的阶梯高度，所述阶梯高度的厚度是所述栅极的厚度的1-15%。

12.如权利要求10所述的具有薄膜晶体管的液晶显示器，其中，所述平整绝缘层具有在200℃-500℃的温度时属性和状态不改变的高温特性，并由有机材料、无机材料、有机-无机化合物和有机-无机混合物中的任何一种来形成所述平整绝缘层。

13.如权利要求10所述的具有薄膜晶体管的液晶显示器，其中，所述平整绝缘层具有负光刻胶的特性。