[发明专利]半导体器件的回流装置

权利要求书

1.一种回流装置，包括：

炉，包括晶片接收区域、回流处理区域及取出区域，并具有由防护构件完全覆盖的内壁；

蚁酸导入机构，安装在该回流处理区域中；

惰性气体导入机构，在该炉内产生惰性气体氛围；

加热器，用于蚁酸分解，充分散布在该炉的内壁与该防护构件之间；

装载机，承载多个晶片至该晶片接收区域；

卸载机，从该取出区域中卸出所述多个晶片；

第一闸门，位于该装载机与该晶片接收区域之间；以及

第二闸门，位于该取出区域与该卸载机之间。

2.如权利要求1所述的回流装置，还包括：

氮气的气幕机构，设置在该第一闸门附近；以及

另一氮气的气幕机构，设置在该第二闸门附近。

3.如权利要求1所述的回流装置，其中该惰性气体是氮气或氩气。

4.如权利要求1所述的回流装置，其中所述多个晶片放置在处理盒中，并由该处理盒运送到该炉内。

5.如权利要求4所述的回流装置，其中该处理盒中设置有狭缝。

6.如权利要求1所述的回流装置，其中该防护构件由包含耐蚀金属合金和SUS316L其中一种的金属材料制成。

7.如权利要求1所述的回流装置，其中该防护构件由环氧树脂和聚茚树脂的其中一种制成。

8.如权利要求1所述的回流装置，其中该防护构件由聚烯烃和耐热PTFE（聚四氟乙烯）的其中一种涂覆。

9.如权利要求1所述的回流装置，其中该回流处理区域是经加热的处理室，设定于第一温度，该经加热的处理室上安装有焊料构件，并被提供有该第一温度的氛围气体。

10.如权利要求9所述的回流装置，其中该经加热的处理室被设定于第二温度，并且所安装的焊料构件在该第二温度下成为熔融处理的焊料构件。

11.如权利要求10所述的回流装置，其中该熔融处理的焊料构件为热熔融焊料凸点。