[发明专利]一种薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)已经是显示器领域的主流产品。其工作原理主要是利用电场来控制液晶分子的排列状态，进而控制背光源产生的光线能否通过液晶从而显现所需的显示图像。目前，电场控制液晶分子的主流技术包括TN(Twisted Nematic，扭曲向列)型，IPS(In-Plane Switching，平面转换)型和AD-SDS(ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS，高级超维场转换技术)型等运用竖直电场、横向电场或者多维电场驱动液晶旋转的技术。

其中，ADS驱动模式主要通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

针对IPS型和ADS型液晶显示器的TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)阵列基板，一种情况是：基板上的像素(Pixel)电极埋设在保护层之下，位于里层，之后再在该保护层上形成公共电极层。由于像素电极埋设在里层，因而难于对基板上各个像素的TFT特性进行检测，限制了TFT阵列基板的良品率提升。

发明内容

本发明提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法，以解决难于对基板上各个像素的TFT特性进行检测的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括由栅线、数据线、薄膜场效应晶体管、像素电极和公共电极构成的有效像素区域；

还包括：

在所述有效像素区域边缘的栅线的外侧，还设置有与所述栅线同层的测试栅线，所述测试栅线与所述有效像素区域内的各条数据线交叉形成多个测试区域；

在每个所述测试区域中，形成有与所述测试栅线电连接的测试栅极、测试半导体有源层、与所述有效像素区域内的数据线电连接的测试源极，以及测试漏极；

在每个所述测试区域中，还形成有与所述测试漏极电连接的测试接触区。

进一步地，在所述有效像素区域中，所述像素电极与所述薄膜场效应晶体管的漏极电极连；在所述像素电极上覆盖有第一保护层；所述公共电极形成在所述第一保护层上。

进一步地，所述测试区域内的所述测试接触区形成在所述第一保护层上，与所述公共电极同层。

进一步地，所述测试区域的结构包括：基板；形成在所述基板上的测试栅线、测试栅极；形成在所述测试栅线、测试栅极上的栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层上的测试半导体有源层；形成在所述基板上的数据线、测试源极、测试漏极；形成在所述基板上的覆盖所述有效像素区域内像素电极的第一保护层；所述第一保护层上含有露出所述测试漏极的第一过孔；形成在所述第一保护层上的通过所述第一过孔与所述测试漏极电连接的测试接触区。

进一步地，在所述公共电极上还覆盖有第二保护层；所述测试区域内的所述测试接触区形成在所述第二保护层上。

进一步地，所述测试区域的结构包括：基板；形成在所述基板上的测试栅线、测试栅极；形成在所述测试栅线、测试栅极上的栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层上的测试半导体有源层；形成在所述基板上的数据线、测试源极、测试漏极；形成在所述基板上的覆盖所述有效像素区域内像素电极的第一保护层；形成在所述基板上的覆盖所述有效像素区域内公共电极的第二保护层；所述第二保护层上含有穿透所述第一保护层露出所述测试漏极的第二过孔；形成在所述第二保护层上的通过所述第二过孔与所述测试漏极电连接的测试接触区。

进一步地，所述测试栅线为一条，设置在所述有效像素区域一侧边缘的栅线的外侧。

进一步地，所述测试栅线为两条，分别设置在所述有效像素区域两侧边缘的栅线的外侧。

另一方面，提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板的制造方法，包括：

通过构图工艺处理在基板上形成栅线、栅极；

在所述栅线、所述栅极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上通过构图工艺处理形成半导体有源层；