[发明专利]一种吸光层薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210282691.X | 申请日: | 2012-08-09 |
公开(公告)号: | CN102790130A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 潘道成;王刚;赵婉亘;崔勇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 130022 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸光层 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种吸光层薄膜的制备方法,包括:
将二硫化碳、第一胺类化合物、第一溶剂与前体物质混合,反应,得到第一前体溶液,所述前体物质包括铜源化合物,所述第一胺类化合物为伯胺和仲胺中的一种或两种,所述第一溶剂为水、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、四氢呋喃、N,N二甲基甲酰胺、N,N二甲基乙酰胺、氯仿、甲苯、氯苯、丙酮、乙醚、乙酸乙酯或二甲基亚砜;
将所述第一前体溶液在基底上成膜,将成膜后的基底加热,得到半导体薄膜;
将所述半导体薄膜硒化或硫化,得到吸光层薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,所述铜源化合物为氧化铜、氧化亚铜、氢氧化铜、碱式碳酸铜、碳酸铜、甲酸铜、乙酸铜、草酸铜和乙酰丙酮铜中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述前体物质还包括第一前体物质,所述第一前体物质为氢氧化铟、乙酰丙酮铟、乙酸铟、甲酸铟、氧化铟、氧化锌、乙酰丙酮锌、乙酸锌、碳酸锌、草酸锌、碱式碳酸锌、氧化亚锡、乙酸亚锡、草酸亚锡、氧化亚锰、氧化亚钴、氧化亚镍、氢氧化铁、乙酰丙酮铁、氧化镉、氢氧化镉、碳酸镉、三氧化二锑、乙酰丙酮镓、甲酸镓、乙酸镓、硝酸镓、硝酸铝、硫酸铝和硼酸中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述前体物质还包括第二前体物质,所述第二前体物质为硒粉和硫粉中的一种或两种。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一胺类化合物为乙醇胺、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、叔丁胺、己胺、辛胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、二丁胺、甲基己基胺、吡咯和四氢吡咯中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,得到吸光层薄膜之后还包括:
将二硫化碳、第二胺类化合物、第二溶剂与第三前体物质混合,反应后得到第二前体溶液,所述第二胺类化合物为伯胺和仲胺中的一种或两种,所述第二溶剂为水、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、四氢呋喃、N,N二甲基甲酰胺、N,N二甲基乙酰胺、氯仿、甲苯、氯苯、丙酮、乙醚、乙酸乙酯或二甲基亚砜,所述第三前体物质为氢氧化铟、乙酰丙酮铟、甲酸铟、乙酸铟、氧化铟、氧化锌、乙酰丙酮锌、乙酸锌、碳酸锌、草酸锌、碱式碳酸锌、氧化亚锡、乙酸亚锡、草酸亚锡、氧化亚锰、氧化亚钴、氧化亚镍、氢氧化铁、乙酰丙酮铁、氧化镉、氢氧化镉、碳酸镉、三氧化二锑、乙酰丙酮镓、甲酸镓、乙酸镓、硝酸镓、硝酸铝、硫酸铝和硼酸中的一种或多种;
将所述第二前体溶液在所述吸光层薄膜表面成膜,将表面成膜的吸光层薄膜加热,得到缓冲层薄膜。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述前体物质与所述二硫化碳的摩尔比为1:(0.1~1000)。
8.一种吸光层薄膜的制备方法,包括:
将二硫化碳、第四胺类化合物、第四溶剂与前体物质混合,反应,得到第六前体溶液,所述前体物质包括铜源化合物和第四前体物质,所述第四胺类化合物为伯胺、仲胺和叔胺中的一种或多种,所述第四溶剂为水、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、四氢呋喃、N,N二甲基甲酰胺、N,N二甲基乙酰胺、氯仿、甲苯、氯苯、丙酮、乙醚、乙酸乙酯或二甲基亚砜,所述第四前体物质为硒粉或硫粉中的一种或两种;
将所述第六前体溶液在基底上成膜,将成膜后的基底加热,得到吸光层薄膜。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述前体物质还包括第五前体物质,所述第五前体物质为氢氧化铟、乙酰丙酮铟、甲酸铟、乙酸铟、氧化铟、氧化锌、乙酰丙酮锌、乙酸锌、碳酸锌、草酸锌、碱式碳酸锌、氧化亚锡、乙酸亚锡、草酸亚锡、氧化亚锰、氧化亚钴、氧化亚镍、氢氧化铁、乙酰丙酮铁、氧化镉、氢氧化镉、碳酸镉、三氧化二锑、乙酰丙酮镓、甲酸镓、乙酸镓、硝酸镓、硝酸铝、硫酸铝和硼酸中的一种或多种。
10.一种由权利要求1~9制备的吸光层薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的