[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体基板；

一栅极，形成于该半导体基板的一部分上，包括依序堆叠于该半导体基板部分上的一介电层与一导电层；

一间隔物，顺性地覆盖该栅极的表面并接触该半导体基板的一部分，包括一氮化硅层以及多个氧化硅层；以及

一对源极/漏极区，分别形成于该栅极的对称侧的该半导体基板的一部分内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一导电接触物，设置于该半导体基板的一部分上并接触所述源极/漏极区。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该间隔物的该氮化硅层具有一“ㄇ”形剖面，而所述多个氧化硅层则分别形成于该氮化硅层与该半导体基板之间并接触该氮化硅层与该半导体基板。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层包括经掺杂多晶硅。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层包括经掺杂多晶硅与金属。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基板；

形成一介电层于该半导体基板上；

形成一导电层于该半导体基板上，覆盖该介电层的一部分；

形成一对轻度掺杂区于该导电层的对称侧的该半导体基板内；

形成一间隔物层，顺应地覆盖该导电层与该介电层上；

分别形成一保护层于覆盖该导电层的对称侧的一侧壁的该间隔物层的一部分上；

施行一蚀刻程序，去除该半导体基板上未被该保护层所覆盖的该间隔物层，形成覆盖该导电层顶面以及部分侧壁的一图案化的间隔物层以及位于该导电层的底部边角的数个开口，所述多个开口分别露出该导电层的该底部边角的一部分；

去除该保护层以及未被该导电层所覆盖的该介电层部分；

形成一氧化物层于该导电层的底部边角的所述多个开口内，该氧化物层接触该间隔物层与该半导体基板；以及

形成一对重度掺杂区于该间隔物层的对称侧的该半导体基板与该轻度掺杂区的一部分内。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括形成一导电接触物于该半导体基板的一部分上以接触该重度掺杂区。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该导电层包括经掺杂多晶硅或经掺杂多晶硅与金属。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该蚀刻程序为一湿蚀刻程序。

10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该间隔物层包括氮化硅，该氧化物层包括氧化硅，而该间隔物层与该氧化物层构成了一间隔物。