[发明专利]一种电阻并联反馈式差分低噪声放大器无效

专利信息
申请号: 201210280491.0 申请日: 2012-08-08
公开(公告)号: CN102790593A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 周仁杰;甘业兵;段炼;何晓丰;马成炎 申请(专利权)人: 江苏物联网研究发展中心
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F1/34
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 殷红梅
地址: 214135 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电阻 并联 反馈 式差分 低噪声放大器
【权利要求书】:

1.一种电阻并联反馈式差分低噪声放大器,包括主放大电路,所述主放大电路包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)及第四MOS管(M4),所述第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)及第四MOS管(M4)形成差分共源共栅电路;第一MOS管(M1)的栅极端通过第一输入匹配网络与第一差分输入端(RFINP)相连,第二MOS管(M2)通过第二输入匹配网络与第二差分输入端(RFINN)相连,第一MOS管(M1)的源极端与第二MOS管(M2)的源极端均与尾电流源相连;第三MOS管(M3)的栅极端与第四MOS管(M4)的栅极端均与电源VDD相连,第三MOS管(M3)的漏极端通过第一输出负载网络与电源VDD相连,第四MOS管(M4)的漏极端通过第二输出负载网络与电源VDD相连,第三MOS管(M3)的漏极端与第一差分输出端(RFOUTP)相连,第四MOS管(M4)的漏极端与第二差分输出端(RFOUTN)相连;第一MOS管(M1)的漏极端与第三MOS管(M3)的源极端相连,第二MOS管(M2)的漏极端与第四MOS管(M4)的源极端相连;其特征是:所述第一MOS管(M1)的漏极端与第一MOS管(M1)的栅极端间通过第一电阻并联反馈支路相连,第二MOS管(M2)的漏极端与第二MOS管(M2)的栅极端间通过第二电阻并联反馈支路相连;第一电阻并联反馈支路包括第一电阻(R1)及与所述第一电阻(R1)串联的第一电容(C1);第二电阻并联反馈支路包括第二电阻(R2)及与所述第二电阻(R2)串联的第二电容(C2)。

2.根据权利要求1所述的电阻并联反馈式差分低噪声放大器,其特征是:所述第一输入匹配网络、第二输入匹配网络工作于窄带状态时,所述第一输入匹配网络包括第一电感(L1)及第三电容(C3),所述第三电容(C3)的一端与第一差分输入端(RFINP)相连,第三电容(C3)的另一端通过第一电感(L1)与第一电阻(R1)、第一MOS管(M1)的栅极端相连;第二输入匹配网络包括第四电容(C4)及第二电感(L2),所述第四电容(C4)的一端与第二差分输入端(RFINN)相连,第四电容(C4)的另一端通过第二电感(L2)与第二MOS管(M2)的栅极端及第二电阻(R2)相连;第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)的栅极端与直流稳压电路相连。

3.根据权利要求2所述的电阻并联反馈式差分低噪声放大器,其特征是:所述直流稳压电路包括第一稳压电阻(RB1)及电源VDD,所述第一稳压电阻(RB1)的一端与电源VDD相连,另一端通过第二稳压电阻(RB2)接地;第一稳压电阻(RB1)与第二稳压电阻(RB2)相连的一端通过第三稳压电阻(RB3)与第一MOS管(M1)的栅极端相连,且第一稳压电阻(RB1)与第二稳压电阻(RB2)相连的一端通过第四稳压电阻(RB4)与第二MOS管(M2)的栅极端相连。

4.根据权利要求2或3所述的电阻并联反馈式差分低噪声放大器,其特征是:所述第一输出负载网络、第二输出负载网络工作于窄带状态时,所述第一输出负载网络包括第三电感(L3)、第三可调电阻(R3)及第五可调电容(C5),所述第三电感(L3)、第三可调电阻(R3)及第五可调电容(C5)相互并联;第二输出负载网络包括第四电感(L4)、第四可调电阻(R4)及第六可调电容(C6),所述第四电感(L4)、第四可调电阻(R4)及第六可调电容(C6)相互并联。

5.根据权利要求1所述的电阻并联反馈式差分低噪声放大器,其特征是:所述尾电流源包括电源VDD,所述电源VDD通过偏置电流源(IBO)与第一偏置MOS管(MB1)的漏极端相连,第一偏置MOS管(MB1)的漏极端与第一偏置MOS管(MB1)的栅极端、第二偏置MOS管(MB0)的栅极端相互连接,且第一偏置MOS管(MB1)的栅极端通过第九电容(C9)接地,第一偏置MOS管(MB1)的源极端、第二偏置MOS管(MB0)的源极端均接地,第二偏置MOS管(MB0)的漏极端与第一MOS管(M1)的源极端、第二MOS管(M2)的源极端相互连接。

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