[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

一金属反射层；

一载板，位于该金属反射层之下；

一分散式布拉格反射层，位在该金属反射层上；

一缓冲层，位于该分散式布拉格反射层之上；以及

一发光二极管外延结构，位于该缓冲层之上。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该发光二极管还包括：

一接合层，位在该载板与该金属反射层之间。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于该接合层的材料为银胶、自发性导电高分子或高分子中掺杂导电材质所形成的粘合材料。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该分散式布拉格反射层直接形成在该金属反射层与该缓冲层之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该分散式布拉格反射层由氮化铝与氮化镓以堆叠方式形成。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该发光二极管外延结构包括：

一第一型半导体层，位于该缓冲层之上；

一有源层，位于该第一型半导体层之上；

一第二型半导体层，位于该有源层之上；

一第一电极，位于该第一型半导体层之上；以及

一第二电极，位于该第二型半导体层之上。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于该第一型半导体层为N型半导体层而该第二型半导体层为P型半导体层，或该第一型半导体层为P型半导体层而该第二型半导体层为N型半导体层。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该缓冲层的晶格常数介于氮化镓的晶格常数与氮化铝的晶格常数之间。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该缓冲层的材质包括氮化镓铟铝。

10.如权利要求1~9其中任一所述的发光二极管，其特征在于该金属反射层的材料为In、Al、Ti、Au、W、InSn、TiN、WSi、PtIn2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/Ni、Cr/Ni/Au、Ni/Cr/Au、Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/Si/Ti或其合金。