[发明专利]检测方法及检测装置有效
申请号: | 201210279973.4 | 申请日: | 2008-11-04 |
公开(公告)号: | CN102789998A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 涂凯文;王仁宏;周宗贤;潘文森 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 方法 装置 | ||
本申请是分案申请,母案的申请号:200810169190.4,申请日:2008年11月4日,名称:检测方法及检测装置。
技术领域
本发明是有关于一种检测方法,且特别是有关于一种用以检测一圆盘的检测方法及检测装置。
背景技术
随着数字电子时代的来临,半导体芯片已广泛地应用在各式各样的电子装置中,而市场上对于半导体芯片的需求也日益殷切。因此,对于能够以便宜成本生产大量半导体芯片的技术也不断寻求改良的方式。一般在半导体芯片的制造工艺中,包括有利用一检测装置进行检测的步骤,是于晶片(wafer)的生产过程中检测晶片表面,以通过检测结果来显示目前工艺的状况。进一步可于工艺中反映出工艺质量的异常,藉以监控工艺品质。因此,晶片表面上用以进行晶片表面检测的测量点位置的决定,便会直接影响检测结果的准确性。
请参照图1,其绘示现有晶片表面上测量点分布的示意图。为了方便决定多个测量点13于晶片表面10的位置,目前业界常用的决定方式,是将晶片表面10上的测量点13依同心圆分布,并且以对称的方式配置。此外,当检测多个晶片表面10时,每一次检测晶片表面10的测量点13的配置方式均相同。
然而,由于测量点13是依同心圆分布,且每一片晶片的测量位置均相同,所以测量结果只能反映同心圆的状况,无法完整表达整体制造工艺的状况,进而无法有效地实时监控制造工艺的质量。此外,测量点13的位置及数目,无法有效地与欲达到的检测敏感度配合。也就是说,现有的检测方法及检测装置,无法有效地通过对应调整测量点13的位置及数目来改变检测敏感度,大大限制了检测方法及检测装置的应用灵活性。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种检测方法及一种检测装置,用以检测一圆盘。检测方法是将圆盘的表面分割为多个面积相等的区域,并且在这些区域中决定出多个测量位置,使得检测位置可以涵盖圆盘表面上不同半径及不同圆心角,藉以可提升圆盘检测的准确性。
根据本发明,提出一种检测方法,用以检测一圆盘。首先,将对应于圆盘的一坐标平面分割为面积相等的多个区域。接着,于此多个区域中决定多个测量位置。其次,经由一坐标转换将此多个测量位置转换为对应于圆盘的多个测量位置组。然后,依照此多个测量位置组检测圆盘。
根据本发明,另提出一种检测方法,用以检测一圆盘。首先,由多个区域提供多个测量位置组,此多个区域是通过根据一半径平方参数及一圆心角参数分割对应于圆盘的一坐标平面而形成。而后,利用抽出不放回的方式,由此多个测量位置组中取出多个测量位置组,以组成一个测量位置组集合。然后,依照取出的测量位置组集合检测圆盘。
根据本发明,再提出一种检测装置,用以检测一圆盘。检测装置包括一分割单元、一决定单元、一转换单元以及一检测单元。分割单元用以将对应于圆盘的一坐标平面分割为具有相同面积的多个区域。决定单元用以于此多个区域中决定出多个测量位置。转换单元用以经由一坐标转换将此多个测量位置转换为对应于圆盘的多个测量位置组。检测单元用以依照此多个测量位置组检测圆盘。
根据本发明,更提出一种检测装置,用以检测一圆盘。检测装置包括一取出单元以及一检测单元。取出单元用以由多个测量位置组中利用抽出不放回的方式取出多个测量位置组,以组成一个测量位置组集合。此多个测量位置组是由根据一半径平方参数及一圆心角参数分割对应于圆盘的一坐标平面而形成的多个区域所获得。检测单元用以依照取出的测量位置组集合检测圆盘。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举较佳的实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
图1绘示现有晶片表面上测量点分布的示意图;
图2绘示依照本发明较佳实施例的检测装置的功能方块图;
图3绘示依照本发明较佳实施例的检测方法的流程图;
图4绘示半径平方参数及圆心角参数的坐标图;
图5绘示分割为面积相等的多个测量区域的一圆盘的示意图;
图6绘示各晶片表面检测值的平均值与真实平均值的差值的曲线图;以及
图7绘示各晶片表面检测值的标准差与真实标准差的差值的曲线图。
【主要元件符号说明】
10:晶片表面
13、43(1)~43(6):测量点
31:区域
33:测量位置
41:测量区域
100:检测装置
110:分割单元
130:决定单元
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造