[发明专利]氧化物半导体薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）制备前驱体溶液

将含有目标氧化物金属离子的前驱体材料和稳定剂溶解于溶液中，充分搅拌使其充分溶解，得到前驱体溶液；

（2）制备反应溶液

在前驱体溶液中加入带有OH或者OR基团的催化剂，搅拌使其充分溶解得到反应溶液；

（3）制备氧化物半导体薄膜

将步骤（2）制备的反应溶液在涂布面上涂布成膜，经热处理程序得到氧化物半导体薄膜。

2.根据权利要求1所述氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于：

所述前驱体材料包括锌的前驱体材料和/或锡的前驱体材料。

3.根据权利要求2所述氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于：

所述前驱体材料包括锌的前驱体材料和锡的前驱体材料，所述锌的前驱体材料和锡的前驱体材料的摩尔比为0.01：1~1：1。

4.根据权利要求2或3所述氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于：

所述锡的前驱体材料选自以下物质的一种或若干种：

氯化亚锡SnCl₂；

氯化锡SnCl₄；

硝酸亚锡Sn（NO₃）₂；

硝酸锡Sn（NO₃）₄；

锡、亚锡的醇盐Sn(OR)₄，Sn(OR)₂，其中R选自以下基团的一种：CH₃-(CH₂)_n-或者[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-或者[CH₃-(CH₂)_n]₃C-，其中5≥n≥0；

羧酸亚锡Sn（OOC-R）₂，羧酸锡Sn（OOC-R）₄，其中R选自以下基团的一种：H或者CH₃-(CH₂)_n-或者[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-或者[CH₃-(CH₂)_n]₃C-，其中5≥n≥0。

5.根据权利要求2至4任一所述氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于：

所述锌的前驱体材料选自以下物质的一种或若干种：

醋酸锌Zn（OAc）₂；

氯化锌ZnCl₂；

硝酸锌Zn（NO₃）₂；

锌的醇盐Zn(OR)₂，其中R选自以下基团的一种：CH₃-(CH₂)_n-或[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-或者[CH₃-(CH₂)_n]₃C-，其中5≥n≥0；

羧酸锌Zn（OOC-R）₂，其中R为H或CH₃-(CH₂)_n-或[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-或[CH₃-(CH₂)_n]₃C-中的一种，其中5≥n≥0。